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WL02DTS4N3 发布时间 时间:2025/12/26 2:03:31 查看 阅读:19

WL02DTS4N3是一款由Woolsey(沃利)半导体推出的高性能、低功耗数字隔离器芯片,广泛应用于工业自动化、电源管理、通信接口及电机控制等对电气隔离有严格要求的场合。该器件采用先进的片上变压器技术(如iCoupler或类似工艺),实现了信号在高压隔离状态下的高速、可靠传输。WL02DTS4N3为双通道数字隔离器,支持双向数据传输,具备高抗噪能力与出色的瞬态共模抑制性能,能够在恶劣电磁环境中稳定工作。其内部结构将输入与输出电路通过电容或磁耦合方式进行物理隔离,避免了传统光耦因老化、温度漂移导致的性能下降问题。该芯片通常采用小型化SOIC-8或类似封装,便于在紧凑型PCB设计中集成。工作温度范围一般覆盖工业级标准(-40°C至+125°C),适用于严苛环境下的长期运行。此外,WL02DTS4N3具有低传播延迟、高数据速率(可达150Mbps以上)、低功耗待机模式等特点,是现代隔离接口设计中的理想选择之一。

参数

型号:WL02DTS4N3
  通道数:2
  方向配置:双向可配置
  数据速率:最高150Mbps
  隔离耐压:3750Vrms(典型值)
  工作电压(VCC):2.7V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:SOIC-8
  共模瞬态抗扰度(CMTI):±100kV/μs(最小值)
  传播延迟:典型值30ns
  静态电流:每通道小于1mA
  电源电压兼容性:支持3.3V和5V系统互连

特性

WL02DTS4N3的核心特性之一在于其基于磁耦合技术的高性能隔离架构,利用集成在硅片上的微型变压器实现信号跨隔离栅的高效传输。这种设计相较于传统光电耦合器具有显著优势:首先,它消除了LED老化带来的性能衰减问题,确保了长达数十年的使用寿命和长期稳定性;其次,磁耦合方式响应速度快,支持高达150Mbps的数据速率,远超普通光耦的几十kbps到几Mbps水平,能够满足高速通信协议如SPI、I2C、UART以及数字反馈回路的需求。该芯片具备优异的共模瞬态抗扰度(CMTI),达到±100kV/μs以上,意味着即使在存在强烈电压突变(如变频器、逆变器开关噪声)的环境下,也能保证数据传输不发生误码或锁死现象。
  另一个关键特性是宽电压供电能力,支持2.7V至5.5V的工作电压范围,使得它可以无缝连接3.3V微控制器与5V外围设备,简化系统电平转换设计。同时,芯片内置精确时序控制电路,确保上下行通道间的传播延迟匹配良好,降低抖动,提升信号完整性。低功耗设计使其在待机状态下电流消耗极低,适合电池供电或绿色节能应用。此外,WL02DTS4N3符合国际安全标准,如UL、CSA、VDE等认证要求,提供基本隔离或增强隔离等级,保障人身与设备安全。其SOIC-8封装不仅体积小巧,还优化了爬电距离和电气间隙,进一步提升绝缘可靠性。整体而言,该器件集成了高速、高可靠性、低功耗与小尺寸等多项优点,成为工业PLC、隔离ADC/DAC接口、开关电源反馈、电动汽车BMS系统等领域的首选隔离解决方案。

应用

WL02DTS4N3主要应用于需要电气隔离以提高安全性、抗干扰能力和系统稳定性的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的数字输入/输出模块(DI/DO),用于隔离现场传感器与控制器之间的信号路径,防止高压串扰损坏主控单元。在开关电源与DC-DC转换器中,该芯片常被用作隔离反馈通道,将次级侧的电压或电流采样信号安全地传递至初级侧PWM控制器,实现闭环稳压控制,同时满足安规隔离要求。在电机驱动与逆变器系统中,WL02DTS4N3可用于隔离来自MCU的PWM控制信号,确保高边与低边驱动电路之间无直接电气连接,避免短路风险。
  此外,在新能源领域,如电动汽车车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)中,该器件用于隔离通信总线(如CAN、RS-485)或数字状态信号,保障高压电池组与低压控制网络之间的安全交互。医疗电子设备也常采用此类隔离器,以满足严格的患者保护(MOPP)标准。在可再生能源系统如光伏逆变器中,WL02DTS4N3帮助构建隔离式数据采集链路,提升系统的抗雷击与电网波动能力。由于其支持高速通信协议,还可用于隔离SPI接口连接的ADC或DAC器件,广泛见于精密测量仪器、工业仪表和智能电表设计中。总之,凡是涉及高低压混合供电、长距离信号传输或强电磁干扰环境的应用场景,WL02DTS4N3都能提供稳定可靠的信号隔离解决方案。

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