K1-TCG2+ 时间：2025/12/28 12:58:01 阅读：11

K1-TCG2+ 是由Knowles公司（原Syfer Technology）生产的一款高性能射频多层陶瓷电容器（MLCC），专为高频、高Q值和低损耗的射频电路应用而设计。该器件采用了先进的陶瓷材料和制造工艺，能够在高频条件下保持稳定的电容值和极低的等效串联电阻（ESR），从而确保在射频匹配网络、滤波器、耦合与旁路等关键电路中实现优异的性能。K1-TCG2+属于Knowles K1系列中的高频NP0/C0G材质电容器，具有出色的温度稳定性和长期可靠性，适用于对信号完整性要求极高的无线通信系统。该器件采用标准的表面贴装（SMD）封装，尺寸通常为0402（1.0mm x 0.5mm），便于在高密度PCB布局中使用，并兼容自动化贴片工艺。

参数

产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：根据具体型号可选（如1pF, 2.2pF, 3.3pF等）
　　容差：±0.05pF 或 ±0.1pF（高精度版本）
　　介质材料：NP0 / C0G
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　额定电压：50V DC
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　端接类型：镍阻挡层，焊料涂层（Ni/Sn）
　　Q值：≥1000（典型值，在1GHz下）
　　自谐振频率（SRF）：>10GHz（取决于电容值）
　　等效串联电阻（ESR）：<10mΩ（典型值）
　　老化率：0%/decade
　　符合RoHS指令：是

特性

K1-TCG2+ 射频多层陶瓷电容器的核心优势在于其采用的C0G（NP0）陶瓷介质材料，这种材料具有几乎零温度系数，即在整个工作温度范围内电容值变化极小（通常不超过±30ppm/°C），从而保证了电路在不同环境温度下的稳定性。该特性对于射频前端模块、功率放大器偏置网络以及高频滤波器的设计至关重要，能够有效避免因温度漂移引起的频率偏移或阻抗失配问题。
　　此外，K1-TCG2+ 具有极高的品质因数（Q值），在1GHz频率下可达到1000以上，这意味着其能量损耗非常低，适合用于高选择性滤波器和谐振电路中，有助于提升系统的整体效率和信噪比。同时，由于其极低的等效串联电阻（ESR）和寄生电感（ESL），该电容器在高频下仍能保持接近理想的电容行为，自谐振频率（SRF）可超过10GHz，使其在毫米波通信、5G基础设施、雷达系统和测试测量设备中表现出色。
　　该器件还具备优异的长期稳定性和抗老化能力，C0G材质的老化率为0，不会随着时间推移发生电容值衰减。其结构设计优化了电流分布，减少了热点效应，提高了功率承受能力和可靠性。K1-TCG2+通过了严格的AEC-Q200认证，适用于汽车电子等高可靠性应用场景。此外，其端电极采用镍阻挡层加锡涂层设计，增强了焊接可靠性和耐热冲击性能，支持回流焊工艺，适用于自动化大规模生产。

应用

K1-TCG2+ 多层陶瓷电容器广泛应用于对高频性能和稳定性要求严苛的电子系统中。在无线通信领域，它常用于5G基站、微波点对点通信链路、Wi-Fi 6E/7射频前端模块中的阻抗匹配网络，确保信号传输的最大功率转移和最小反射。在射频滤波器设计中，尤其是带通、低通和高通滤波器，K1-TCG2+ 凭借其高Q值和低损耗特性，能够实现更陡峭的滚降特性和更高的选择性，提升系统抗干扰能力。
　　在功率放大器（PA）电路中，该电容器被用作直流偏置旁路电容或级间耦合电容，其低ESR和高SRF特性可有效滤除高频噪声，防止振荡并提高放大器线性度。在低噪声放大器（LNA）输入端，K1-TCG2+ 可作为输入匹配元件，帮助实现最佳噪声匹配，从而提升接收灵敏度。
　　此外，该器件也适用于测试与测量设备，如矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和信号发生器中的校准电路和参考电路，因其电容值高度稳定，可确保仪器长期测量精度。在航空航天与国防领域，K1-TCG2+ 被用于雷达系统、卫星通信终端和电子战设备中的高频谐振电路，满足极端环境下的可靠运行需求。汽车雷达（如77GHz ADAS系统）和车载信息娱乐系统的射频模块也越来越多地采用此类高性能电容器。