型号：WL02CTS2N7
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：2.3A（@TA=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：9.2A
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ（@VGS=4.5V）；45mΩ（@VGS=2.5V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：220pF（@VDS=10V）
　　输出电容(Coss)：55pF
　　反向传输电容(Crss)：15pF
　　开启延迟时间(td(on))：8ns
　　关断延迟时间(td(off))：18ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C

WL02CTS2N7具备优异的电气性能和可靠性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应能力的结合。在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为35mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于电池供电设备尤为重要，可有效延长续航时间。同时，该器件支持高达2.3A的连续漏极电流，在同类SOT-23封装产品中处于较高水平，使其能够驱动中小功率负载如LED、继电器线圈或DC电机等。其栅极阈值电压范围为0.6V至1.2V，确保在低电压逻辑信号下也能可靠开启，兼容微控制器GPIO直接驱动，无需额外电平转换电路。
　　该MOSFET采用先进的沟槽技术制造，提升了载流子迁移效率，从而实现更低的RDS(on)和更高的电流密度。此外，其寄生参数经过优化，输入电容仅为220pF，减小了驱动电路的负担，提高了高频开关应用中的响应速度。开关时间方面，开启延迟约8ns，关断延迟约18ns，展现出出色的动态性能，适用于PWM调光、DC-DC转换器同步整流等高频操作场景。
　　热稳定性方面，WL02CTS2N7可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，具备良好的高温耐受能力。SOT-23封装虽然体积小巧，但通过合理的PCB布局（如增加铜箔面积）可有效散热，满足一般功率应用的热管理需求。器件符合RoHS环保标准，并通过多项可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、温度循环测试（TC）等，确保长期使用的稳定性与安全性。

WL02CTS2N7广泛应用于各类消费类电子与工业控制领域，尤其适合对空间和功耗敏感的设计。常见应用场景包括移动设备中的电源开关、电池保护电路、USB接口过流保护、LED驱动开关以及小型DC-DC转换器中的同步整流元件。在智能穿戴设备中，该MOSFET可用于动态控制不同功能模块的供电，实现按需上电以节省能耗。
　　在便携式医疗仪器中，WL02CTS2N7常被用作传感器或无线通信模块的使能开关，凭借其低漏电流和快速响应特性，保障系统的即时唤醒与节能待机模式切换。此外，在智能家居控制系统中，该器件可用于继电器驱动或电机控制电路中作为初级开关，替代机械开关以提升寿命与可靠性。
　　由于其良好的逻辑电平兼容性，WL02CTS2N7也常用于微控制器与高边/低边负载之间的接口电路，例如驱动蜂鸣器、小型电磁阀或指示灯。在多路复用信号切换系统中，多个WL02CTS2N7可并联使用以扩展通道容量，或组成H桥结构实现直流电机正反转控制。其紧凑的SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大规模量产应用。

2N7002K, FDN302P, AO3400, SI2302DS, BSS138