SR1761CD/1 时间：2025/7/28 15:00:50 阅读：36

SR1761CD/1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，适用于中高功率的开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。SR1761CD/1采用了先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压和高效率的特点，适用于需要高性能和高可靠性的工业级应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 2.7mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散（Ptot）：100W

特性

SR1761CD/1 MOSFET具备多项优异特性，首先，其导通电阻非常低，通常低于2.7毫欧，这使得在高电流应用中功耗显著降低，提高了系统的整体效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达100A，适合高功率应用场景。
　　此外，SR1761CD/1采用了先进的沟槽栅技术，这不仅提高了开关速度，还降低了开关损耗。器件的栅极驱动电压范围宽，支持±20V的栅源电压，增强了在不同控制电路中的兼容性。同时，其热阻较低，确保在高功率操作下仍能保持良好的散热性能。
　　封装方面，SR1761CD/1采用PowerFLAT 5x6封装，这是一种表面贴装封装，体积小巧且具有良好的热管理和机械稳定性，适用于紧凑型高密度PCB设计。器件还具有良好的抗静电能力（ESD）和较高的可靠性，适合工业环境中的长期运行。

应用

SR1761CD/1 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：在电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，该器件的低导通电阻和高效率使其成为理想选择；在电机控制和驱动电路中，其高电流能力和快速开关特性能够提供稳定的性能；在电池管理系统中，该MOSFET可用于充放电控制，确保安全高效的能量传输。
　　此外，SR1761CD/1也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等，其高可靠性和宽工作温度范围满足了严苛的汽车环境需求。工业自动化设备、伺服驱动器和高功率LED照明系统也是其典型应用领域。