型号：WL01D2-G1LD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：100 mA（@ 25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：3.0 Ω（@ VGS = 10 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：约15 pF（@ VDS = 10 V）
　　功率耗散（Ptot）：200 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-723

WL01D2-G1LD具备出色的电气性能与物理紧凑性，使其在众多低功率开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下能量损耗最小化，提高了整体系统的能效，这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。其次，该MOSFET具有较低的栅极电荷和输入电容，意味着驱动电路所需的能量更少，响应速度更快，适合高频开关操作场景，如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关控制。
　　该器件的栅极阈值电压范围适中（1.0V~2.0V），可在3.3V或5V逻辑电平下可靠开启，兼容大多数微控制器输出引脚，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，WL01D2-G1LD采用SOT-723超小型封装，占用PCB面积极小，非常适合空间受限的应用，如智能手机、可穿戴设备、TWS耳机和其他微型电子模块。
　　在可靠性方面，该MOSFET具备良好的热稳定性，在额定功率下仍能保持稳定的性能输出，并且能够承受一定的瞬态过载。其-55°C至+150°C的宽结温范围使其适用于工业级甚至部分汽车电子环境下的运行。制造工艺上，ROHM采用先进的沟槽型MOS结构技术，提升了单位面积下的载流能力和击穿电压表现，同时保证了一致性和良品率。综合来看，WL01D2-G1LD凭借其小型化、低功耗、高可靠性及易于集成的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

WL01D2-G1LD主要应用于各类需要小型化和低功耗特性的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理开关，例如在智能手机、平板电脑和智能手表中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机和动态电源分配。它也常被用作LED驱动电路中的开关元件，特别是在背光控制或指示灯控制中，利用其快速响应和低导通损耗优势提升亮度调节精度和能效。
　　在通信设备领域，该MOSFET可用于射频前端模块的偏置控制或天线切换电路，因其寄生参数小、开关速度快而不会显著影响高频信号完整性。此外，在传感器模块中，WL01D2-G1LD可用于使能/关闭传感器电源，以减少待机功耗，提高系统整体能效，这在物联网（IoT）节点和无线传感网络中尤为关键。
　　工业自动化和嵌入式控制系统中，该器件适用于逻辑电平转换、继电器驱动、电机控制中的低端开关等场景。由于其封装小巧且支持回流焊工艺，非常适合自动化贴片生产，提升了制造效率。同时，该MOSFET也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制，或作为保护电路中的开关元件，防止反向电流或过流损坏敏感组件。总之，凡是需要一个体积小、功耗低、响应快的N沟道MOSFET的地方，WL01D2-G1LD都是一个理想的选择。

DMG2302U-K
　　2N7002K-R2-0805-1
　　FDS6670A