时间：2025/11/6 3:37:49
阅读：83
WI1812S0CR18GHP12是一款高性能的片式薄膜固定电感器，由Walsin（华新科技）生产，属于其高Q、高自谐振频率（SRF）的射频电感产品线。该器件采用先进的薄膜制造工艺，确保了高度的精度和稳定性，特别适用于对信号完整性和高频性能要求严苛的应用场景。WI1812S0CR18GHP12的尺寸为1812（英制），即4.5mm x 3.2mm，是目前市场上较大尺寸的贴片电感之一，能够提供相对较高的电流承载能力和较低的直流电阻（DCR）。其标称电感值为0.18nH，属于超低电感值范畴，主要用于射频匹配网络、高频滤波以及高速数字电路中的阻抗控制等场合。该电感具有非常高的自谐振频率（通常可达数十GHz以上），能够在毫米波频段下保持良好的电感特性，避免因接近或超过SRF而导致的性能劣化。此外，由于采用了高品质的陶瓷基板和精细的光刻工艺，该器件表现出优异的温度稳定性和长期可靠性，适合在严苛的工业和通信环境中使用。
WI1812S0CR18GHP12广泛应用于无线通信基础设施、微波回传系统、相控阵雷达、测试与测量设备以及高端消费类电子产品中的射频前端模块。其低损耗、高Q值和稳定的电气性能使其成为5G NR、Wi-Fi 6E/7以及其他高频应用中不可或缺的关键元件。
品牌：Walsin（华新科技）
型号：WI1812S0CR18GHP12
封装尺寸：1812（4.5×3.2mm）
电感值：0.18nH
允许偏差：±0.05nH
直流电阻(DCR)：典型值约0.12Ω
额定电流：最大约1200mA（基于温升30°C）
自谐振频率(SRF)：典型值大于30GHz
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
焊接方式：回流焊（符合J-STD-020标准）
WI1812S0CR18GHP12的最大优势在于其采用薄膜工艺制造，这种工艺通过在高纯度陶瓷基板上沉积金属层并利用光刻技术精确成型线圈结构，从而实现极高的尺寸精度和电气一致性。相比传统的绕线或厚膜工艺电感，薄膜电感具有更低的寄生电容和更高的自谐振频率，能够在极高频段（如Ka波段及以上）保持理想的电感行为，有效减少信号失真和能量损耗。此外，该器件具备出色的Q值表现，在1GHz至10GHz范围内Q值可达到60以上，显著优于同类产品，这对于提升射频系统的效率和选择性至关重要。高Q值意味着更小的能量损耗和更高的品质因子，有助于改善滤波器的插入损耗和放大器的噪声系数。
另一个关键特性是其卓越的温度稳定性。由于材料选择和制造工艺的高度优化，WI1812S0CR18GHP12在宽温范围内（-55°C至+125°C）的电感值漂移极小，保证了系统在不同环境条件下的性能一致性。同时，其低直流电阻（DCR）设计不仅提升了功率传输效率，还降低了热积累风险，增强了长期工作的可靠性。该器件还具备良好的抗机械应力能力，能承受多次热循环和振动考验，适用于车载通信、航空航天等高可靠性要求的领域。此外，其表面经过特殊处理，具有良好的可焊性和抗氧化性能，确保SMT贴装过程中的良率和连接可靠性。整体而言，WI1812S0CR18GHP12代表了当前射频片式电感的技术先进水平，是高频、高稳定性和高可靠性应用的理想选择。
WI1812S0CR18GHP12主要应用于高频及超高频电子系统中，尤其是在需要精确阻抗匹配和低损耗信号传输的射频前端电路中发挥着重要作用。它常用于5G基站的射频功率放大器（PA）输出匹配网络，用于优化增益和效率；也可作为低噪声放大器（LNA）输入端的调谐元件，以提高接收灵敏度。在毫米波通信系统（如28GHz、39GHz频段）中，该电感被广泛用于天线波束成形网络和相位调节电路，因其能在极高频率下保持稳定电感值而备受青睐。此外，在高速数字电路中，例如100Gbps以上的光模块或SerDes链路，WI1812S0CR18GHP12可用于电源去耦、信号完整性补偿和电磁干扰（EMI）抑制，帮助降低抖动和误码率。
该器件也常见于测试与测量仪器，如矢量网络分析仪（VNA）、频谱仪和信号发生器内部的校准电路和滤波网络，确保高频测量的准确性。在军事和航空航天领域，由于其高可靠性和宽温适应能力，WI1812S0CR18GHP12被用于雷达系统、卫星通信终端和电子战设备中的射频通道设计。此外，在高端智能手机和平板电脑的Wi-Fi 6E（6GHz频段）和UWB（超宽带）模块中，该电感用于匹配网络以提升无线连接性能。总之，凡是涉及GHz级以上频率操作、对元件精度和稳定性有严苛要求的场景，WI1812S0CR18GHP12都是一个极具竞争力的解决方案。
LQP03TN0R18C02
LQW18ANR18G00D
BWL1812T-0R18G
RLG1812Q1N8TB
