时间：2025/8/1 3:39:29
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WH1S030WA1 是一款由 WeEn（瑞能半导体）制造的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于高效能、高可靠性的电源转换系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路。WH1S030WA1 采用先进的高压技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：30A（在25°C）
最大导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
WH1S030WA1 MOSFET具备多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。其最大漏源电压为650V，能够支持高电压环境下的稳定工作，适用于工业电源、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。该器件的导通电阻（Rds(on)）仅为0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高整体能效。
此外，WH1S030WA1 采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率密度应用。其栅极驱动电压范围为±20V，支持广泛的控制电路兼容性，并具备良好的抗噪声能力。
WH1S030WA1 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统。典型应用包括开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电机驱动和工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也适用于电动汽车充电系统和储能系统中的功率转换电路。
STF30N65M5, FCPF30N65S3, IPW65R015CFD7
