您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > R1122N451B-TR-FE

R1122N451B-TR-FE 发布时间 时间:2025/12/28 6:23:33 查看 阅读:44

R1122N451B-TR-FE是一款由理光(Ricoh)公司生产的高性能、低功耗的电压稳压器(LDO,Low Dropout Regulator),广泛应用于便携式电子设备和对电源稳定性要求较高的系统中。该器件属于R1122N系列,是一款固定输出电压型正极性LDO,输出电压为4.5V,最大输出电流可达300mA。该芯片采用高精度的基准电压源和误差放大器设计,确保输出电压的稳定性和负载调整率。R1122N451B-TR-FE具有极低的静态电流,典型值仅为2.0μA,非常适合电池供电的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等。该器件还集成了多种保护功能,包括过流保护、过热保护和反向电流防止电路,提高了系统的可靠性和安全性。其封装形式为小型化的DFN(PLP)1010-6封装,尺寸仅为1.0mm x 1.0mm,厚度0.55mm,适用于空间受限的高密度PCB布局。此外,该LDO支持使用小型陶瓷电容器进行输出滤波,最小推荐电容为0.47μF,有助于减小整体外围元件体积。R1122N451B-TR-FE采用CMOS工艺制造,具备良好的瞬态响应特性,能够在负载快速变化时维持稳定的输出电压。由于其出色的噪声抑制能力和高电源抑制比(PSRR),该器件也适用于对电源噪声敏感的射频模块和传感器供电。

参数

型号:R1122N451B-TR-FE
  制造商:Ricoh(理光)
  产品系列:R1122N
  输出电压:4.5V(固定)
  输出电压精度:±2%
  最大输出电流:300mA
  压差电压(典型值):180mV @ 150mA
  静态电流(典型值):2.0μA
  关机电流(最大值):0.1μA
  输入电压范围:2.0V ~ 6.0V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:DFN(PLP)1010-6(1.0mm x 1.0mm)
  引脚数:6
  输出电容要求:≥0.47μF(陶瓷电容)
  保护功能:过流保护、过热保护、反向电流防止
  PSRR(1kHz):≥60dB
  工作模式:CMOS线性稳压器

特性

R1122N451B-TR-FE具备卓越的低功耗性能,其静态电流典型值仅为2.0μA,这一特性使其在长时间待机或休眠模式下仍能保持高效的能量利用效率,显著延长了电池供电设备的工作寿命。该LDO采用先进的CMOS工艺和内部电路设计,在轻载和空载条件下依然能够维持极低的电流消耗,同时不会牺牲输出电压的稳定性。其超低静态电流特性特别适合用于智能手表、无线传感器节点、蓝牙耳机等对功耗极为敏感的便携式电子产品。
  该器件具有出色的电压精度和负载/线路调整率。输出电压精度在全温度范围和负载条件下保持在±2%以内,确保后级电路获得稳定可靠的电源供应。即使在输入电压波动或负载电流快速变化的情况下,R1122N451B-TR-FE也能通过高速误差放大器和反馈环路迅速响应,维持输出电压的恒定。这种高稳定性对于微控制器、实时时钟、存储器等精密数字电路至关重要。
  集成多重保护机制是该LDO的另一大亮点。它内置了过电流保护功能,当输出电流超过安全阈值时自动限制电流,防止芯片损坏;过热保护电路会在结温超过设定上限(通常为150°C)时关闭输出,避免因散热不良导致的永久性损伤;同时,还具备防止反向电流流动的功能,即在输入端电压突然下降时,阻止电流从输出端倒灌回芯片内部,保护外部电路和电源路径。
  R1122N451B-TR-FE采用微型DFN(PLP)1010-6封装,尺寸紧凑,仅为1.0mm × 1.0mm,极大节省了PCB布局空间,适用于高密度集成的移动设备主板设计。该封装还具有良好的热传导性能,有助于将芯片工作时产生的热量有效散发出去。此外,该LDO仅需0.47μF的陶瓷输出电容即可实现稳定工作,降低了对外部元件的要求,简化了设计流程并减少了物料成本。其高电源抑制比(PSRR)在1kHz时可达60dB以上,能有效抑制来自输入电源的纹波和噪声,提升整个系统的电磁兼容性(EMC)表现。

应用

R1122N451B-TR-FE广泛应用于各类需要稳定4.5V电源的小型化电子设备中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电,如摄像头模块、指纹识别传感器、环境光传感器等子系统的电源管理。由于其低噪声和高PSRR特性,也非常适合为射频前端模块(RF Front-End)、Wi-Fi/BT模组提供干净的直流偏置电压,减少电源干扰对通信质量的影响。
  在可穿戴设备领域,例如智能手环、健康监测设备中,该LDO因其超低静态电流和微型封装而成为理想的电源解决方案。它可用于为MCU核心、加速度计、心率传感器等低功耗组件供电,在保证性能的同时最大限度地延长电池续航时间。此外,在物联网(IoT)终端设备中,如无线传感器节点、智能家居控制模块、远程抄表系统等,R1122N451B-TR-FE能够满足长期离网运行对电源效率和可靠性的严苛要求。
  工业控制和医疗电子设备中也有广泛应用。例如,在便携式医疗仪器(如血糖仪、体温计)中,该LDO可为模拟信号链前端(如运放、ADC)提供精准且低噪声的参考电源,提高测量精度。在嵌入式控制系统中,它可以作为EEPROM、RTC(实时时钟)或其他关键外设的备用电源稳压器,确保数据保存和时间记录的连续性。此外,由于其宽输入电压范围(2.0V~6.0V),该器件还能适应多种电池类型(如锂离子、碱性电池)的供电需求,增强了系统设计的灵活性。

R1122N451B-TR-FE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

R1122N451B-TR-FE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥2.56599卷带(TR)
  • 系列R1122N
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)6V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)4.5V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.26V @ 100mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)170 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR80dB(1kHz)
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装SOT-23-5