型号：WGI218LM
　　制造商：WeEn Semiconductors
　　器件类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（BVCES）：1200 V
　　集电极电流（IC @ TC=25°C）：18 A
　　集电极电流（IC @ TC=100°C）：12 A
　　集电极峰值电流（ICM）：36 A
　　栅极-发射极电压（VGES）：±20 V
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-40 °C 至 +150 °C
　　导通饱和电压（VCE(sat) @ IC=18A, VGE=15V）：1.75 V（典型值）
　　输入电容（Cies）：1900 pF（典型值）
　　输出电容（Coes）：350 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：55 ns（典型值）
　　开关延迟时间（ton）：45 ns（典型值）
　　开关上升时间（tf）：70 ns（典型值）
　　关断延迟时间（toff）：180 ns（典型值）
　　关断下降时间（tf）：100 ns（典型值）
　　封装类型：TO-247

WGI218LM采用先进的沟槽栅与场截止层（Trench Field-Stop）技术，显著降低了导通压降和开关损耗，同时提升了器件的动态性能。该结构优化了电场分布，增强了器件在高电压下的可靠性，使其能够承受高达1200V的集电极-发射极电压而不发生击穿。这种设计还减少了拖尾电流，从而降低了关断过程中的能量损耗，有助于提高整个系统的转换效率。此外，该IGBT具有较低的导通饱和电压（典型值仅为1.75V），即使在高负载条件下也能保持较小的导通损耗，减少发热，提升系统稳定性。
　　该器件具备优异的热稳定性和长期可靠性，可在-40°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适用于各种严苛的工业环境。其TO-247封装具有良好的热传导性能，便于将热量快速传递至外部散热器，避免因局部过热导致器件失效。内置的寄生体二极管经过优化设计，具有快速反向恢复特性（典型trr为55ns），可有效减少续流过程中的损耗，并降低电磁干扰（EMI）风险。
　　WGI218LM还表现出较强的短路耐受能力，在规定的测试条件下可承受数微秒的短路冲击而不损坏，提升了系统在异常工况下的安全性。其栅极阈值电压适中（通常在5.5V~7V之间），兼容标准逻辑驱动电路，易于与驱动IC配合使用。此外，该IGBT对dv/dt和di/dt具有较好的抗扰度，能够在高频开关应用中保持稳定运行。通过精确控制制造工艺，WeEn确保每批次产品具有一致的电气特性和高良品率，满足工业级应用对可靠性的严格要求。

WGI218LM广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业电机驱动领域，它常用于变频器中的逆变桥臂，实现对交流电机的精准调速与控制，具有响应快、效率高的优势。在感应加热设备中，如电磁炉、金属熔炼装置等，该IGBT凭借其高耐压和快速开关能力，可在高频谐振电路中高效工作，提升加热效率并降低能耗。在不间断电源（UPS）系统中，WGI218LM用于DC-AC逆变环节，确保市电中断时负载仍能获得稳定的交流电供应，保障关键设备持续运行。
　　在太阳能光伏逆变器中，该器件作为核心开关元件参与直流到交流的转换过程，支持最大功率点跟踪（MPPT）算法的实现，提升光伏发电系统的整体能效。此外，WGI218LM也适用于焊接电源、电镀电源等大电流整流与逆变设备，其高电流承载能力和良好的热稳定性确保长时间满负荷运行下的可靠性。在电动汽车充电桩、储能系统等新兴应用中，该IGBT可用于双向AC/DC或DC/DC变换器，支持能量回馈与高效充放电管理。由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，也适合用于对电磁兼容性要求较高的精密工业控制系统。总之，WGI218LM凭借其高性能参数和坚固的设计，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

IRG4PH50U-EP
　　FGL40N120ANTD
　　IKW40N120T2
　　STGW30H65DFB