WFW24N60 时间：2025/8/21 5:20:33 阅读：6

WFW24N60 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面条状工艺制造，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种工业设备中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：24A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.18Ω（最大值0.22Ω）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-268（D2PAK）、TO-220、TO-3P等

特性

WFW24N60 MOSFET具有优异的电气性能和热稳定性，能够承受高电压和大电流的工况。其主要特性包括：
　　1. 低导通电阻：有助于降低导通损耗，提高系统效率；
　　2. 高耐压能力：600V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压开关应用；
　　3. 快速开关速度：优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗；
　　4. 热稳定性好：良好的散热性能和高温耐受能力，适用于高功率密度设计；
　　5. 高可靠性：采用先进的封装技术和材料，确保长期稳定运行；
　　6. 宽工作温度范围：支持从极低温到高温的广泛环境应用。

应用

WFW24N60适用于多种高功率和高电压的电子系统，包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中的功率开关元件；
　　2. 电机驱动和控制：适用于工业自动化、电动工具和家用电器中的电机控制电路；
　　3. 照明系统：用于LED驱动器和高压气体放电灯的控制电路；
　　4. 逆变器和变频器：用于太阳能逆变器、UPS系统和电机变频调速装置；
　　5. 电池管理系统：用于电动车辆和储能系统中的充放电控制；
　　6. 工业设备：如电焊机、高频电源和其他工业控制设备。