WFW20N50是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用TO-220封装形式。该器件适用于多种开关和功率控制应用,具有较低的导通电阻和较高的击穿电压。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、开关模式电源等领域。
WFW20N50能够承受高达500V的漏源极电压,并且具备20A的连续漏极电流能力,使其在高压和大电流场景中表现出色。此外,其快速开关特性和低电容设计,有助于提高整体效率并减少开关损耗。
最大漏源电压:500V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:20A
导通电阻(典型值):0.7Ω
总功耗:160W
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
1. 高击穿电压:WFW20N50的漏源电压可达500V,确保在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻:典型导通电阻为0.7Ω,在高电流条件下减少了导通损耗。
3. 快速开关性能:由于优化的内部结构,开关时间较短,从而降低了开关损耗。
4. 高可靠性:经过严格测试,保证在恶劣环境下的长期稳定性。
5. 大电流承载能力:连续漏极电流可达20A,适用于多种功率应用需求。
6. 热性能优异:TO-220封装提供良好的散热性能,支持长时间高负载运行。
1. 开关模式电源(SMPS):
WFW20N50的高耐压和大电流特性使其非常适合用作开关模式电源中的功率开关元件。
2. 电机驱动:
可用于各种电机驱动电路,包括直流无刷电机和步进电机的驱动。
3. 逆变器:
在逆变器中作为主功率开关使用,实现高效的AC-DC或DC-AC转换。
4. 电池保护:
利用其快速开关特性和低导通电阻,可以有效保护电池免受过流和短路的影响。
5. 工业控制:
适用于工业自动化设备中的功率控制模块,如固态继电器和功率调节器。
STP20NF50
IRF540
FDP20N50