WFU5N60B 时间：2025/5/22 13:50:22 阅读：4

WFU5N60B 是一款 N 治道垂直沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　该 MOSFET 的额定电压为 600V，适合高压应用环境，同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，可满足工业级和消费级电子设备的需求。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：5A
　　栅极阈值电压：2V 至 4V
　　导通电阻（典型值）：1.8Ω
　　总功耗：75W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

WFU5N60B 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高耐压能力：其 600V 的漏源电压使其适用于多种高压场景，例如开关电源和逆变器。
　　2. 低导通电阻：1.8Ω 的典型导通电阻有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　3. 快速开关性能：该器件具有短开关时间和低栅极电荷，非常适合高频开关应用。
　　4. 稳定性高：无论是在高温还是低温环境下，WFU5N60B 都能保持稳定的电气性能。
　　5. 抗干扰能力强：具备较高的 dv/dt 和 di/dt 耐受能力，可防止误触发和损坏。
　　6. 小型化设计：TO-220 封装既便于安装又有利于散热，进一步提升了产品的可靠性。

应用

WFU5N60B 主要应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源：作为主开关器件，用于 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中，实现高效的能量转换。
　　2. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运行状态，提供精确的速度调节功能。
　　3. 工业自动化：在各种工业控制设备中充当功率开关或保护元件。
　　4. LED 照明：用于恒流源驱动电路，确保 LED 的亮度均匀且稳定。
　　5. 电池管理：对锂电池组进行充放电管理和过流保护等操作。