WFP85N06 时间：2025/12/29 14:22:44 阅读：15

WFP85N06 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用了先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高压和高频率条件下高效运行。WFP85N06通常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、马达控制、负载开关以及电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：85A
　　漏源击穿电压（Vds）：60V
　　栅源击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.8mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220

特性

WFP85N06具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为3.8mΩ，适用于高效率电源设计。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达85A，适合高功率密度应用。同时，其60V的漏源电压额定值使其能够适应多种中压功率转换场景。
　　此外，WFP85N06采用先进的封装技术，具备良好的热管理性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的电气环境中可靠工作。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，便于与多种控制IC配合使用。

应用

WFP85N06主要应用于以下领域：在开关电源（SMPS）中作为主开关或同步整流器，以提高转换效率；在DC-DC转换器中用于升降压电路，实现高效的能量转换；在电机控制和驱动电路中作为功率开关，控制电机的启停与调速；在电池管理系统中用于充放电控制，保障电池安全；此外，该器件也广泛用于电源适配器、UPS系统、LED照明驱动电源以及工业自动化设备中的功率控制模块。