制造商：Renesas Electronics
　　产品系列：NOVRAM (Non-Volatile RAM)
　　存储容量：64k x 8 位 / 32k x 8 位（可配置）
　　接口类型：并行
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：44-SOJ
　　访问时间：最大45ns
　　写保护功能：支持硬件写保护（WP 引脚）
　　自定时存储操作：支持
　　数据保留时间（非易失性）：典型值10年（断电状态下）
　　存储触发方式：软命令触发（Autostore）或硬件检测掉电（Power-down Store）
　　恢复机制：上电自动恢复（Power-up Recall）
　　内部锂电池：集成iLIC? 技术，无需外置电池
　　JEDEC标准兼容性：符合SRAM时序规范

STK15C88-SF45I 的核心特性在于其独特的非易失性存储架构，基于瑞萨专有的iLIC?（integrated Lithium Capacitor）技术，将微型固态锂电容器集成于芯片内部，彻底消除了传统NVSRAM对外部锂电池的依赖，从而避免了电池漏液、老化及空间占用等问题。该芯片在正常工作时表现如同标准高速SRAM，具备45ns的快速读写访问能力，支持全宽度字节操作，并完全兼容通用异步总线接口，允许直接替代常规SRAM而不需更改系统设计。当系统检测到电源电压下降至预设阈值以下时，芯片内部的掉电检测电路会立即启动Autostore过程，自动将SRAM中的数据备份至非易失性存储单元，整个过程无需微处理器干预，确保数据完整性。此外，用户也可通过发送特定的软件指令手动触发存储操作，提供更高的控制灵活性。上电时，芯片自动执行Recall操作，将上次保存的数据重新加载回SRAM，使系统能够从断电前的状态继续运行。所有存储和恢复操作均由芯片内部控制逻辑自主完成，具有高可靠性和一致性。STK15C88-SF45I还配备了硬件写保护引脚（WP），可在物理层面防止对存储内容的意外修改，增强数据安全性。其工业级温度范围和坚固的SOJ封装使其适用于工业自动化、网络设备、医疗仪器等对长期稳定性和数据持久性要求极高的场合。
　　该器件的一个显著优势是其长达十年的数据保留能力，在断电状态下仍能可靠保存信息，远超大多数EEPROM或Flash解决方案的擦写寿命限制。同时，由于其基于SRAM结构，不存在写入次数限制，可无限次进行读写操作而不会磨损存储介质，特别适合频繁更新关键数据的应用。集成的智能电源监控电路持续监测VCC电平，响应速度快，即使发生突发断电也能及时保存数据。整体设计遵循绿色环保理念，符合RoHS环保标准，适用于全球市场的各类嵌入式系统。

STK15C88-SF45I 广泛应用于需要高速读写性能与断电数据保持能力的关键系统中。常见应用场景包括工业控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器），用于保存运行参数、故障日志和校准数据；在网络通信设备如路由器、交换机中作为配置缓存，确保配置信息在重启或断电后不丢失；在医疗设备中用于存储患者设置、设备状态和诊断记录，保障治疗连续性与数据安全；在POS终端和金融交易设备中保存交易缓冲数据，防止因突然断电导致交易信息丢失；在测试与测量仪器中记录最后的测试条件和结果，提升用户体验。此外，它也适用于航空航天、军事电子以及车载电子系统等对环境适应性和可靠性要求极为严苛的领域。由于其无需外部电池的设计简化了PCB布局并降低了维护成本，因此在远程部署或难以维护的设备中尤为受欢迎。该芯片还可用于固件升级过程中的临时数据缓存，或作为实时时钟模块的配套存储器来保存时间和事件戳。总之，任何需要“像SRAM一样快，像ROM一样持久”的存储需求，都是STK15C88-SF45I的理想用武之地。

CY14B108L-SX45SIT