型号：WFP7N60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id @ 25°C）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V）：≤1.2Ω
　　导通电阻（Rds(on) @ Vgs = 10V, Tj = 125°C）：≤1.8Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF
　　输出电容（Coss）：典型值280pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

WFP7N60的其中一个关键特性是其优化的导通电阻与击穿电压之间的权衡设计。通过采用先进的平面工艺技术，该器件实现了在600V高耐压条件下仍保持相对较低的Rds(on)，这不仅降低了导通状态下的功率损耗，也有助于减小散热器尺寸，从而节省系统成本和空间。这一特性特别适用于中等功率级别的开关电源设计，例如200W以下的反激式或准谐振变换器。同时，低Rds(on)意味着更高的电流承载能力，在瞬态负载变化时能够维持稳定输出，提升电源动态响应性能。
　　另一个显著特点是其出色的开关特性。WFP7N60具有较小的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少，有利于提高整体转换效率并降低控制器的驱动负担。此外，较低的输出电容（Coss）减少了关断期间存储的能量，从而降低开关损耗，特别是在硬开关拓扑中表现更为明显。这些参数共同作用，使WFP7N60非常适合用于追求高能效和小型化的现代电源产品。
　　热稳定性方面，WFP7N60表现出良好的温度系数特性。随着结温升高，其导通电阻虽然有所增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平，避免了热失控风险。器件封装采用铜框架结构，增强了热传导路径，使得热量能够快速从芯片传递到PCB或散热片上，延长了使用寿命并提升了长期可靠性。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在过压或感性负载突变情况下吸收一定的能量而不损坏，这对于提升系统安全性至关重要。
　　最后，WFP7N60还具备良好的抗噪声干扰能力和栅极保护机制。其栅氧化层经过特殊处理，可承受高达±30V的栅源电压，防止因驱动信号波动导致的误触发或永久损伤。同时，体二极管的反向恢复行为经过优化，减少了开关瞬间的电流尖峰和振荡现象，有助于降低电磁干扰（EMI）水平，简化滤波电路设计。综上所述，WFP7N60凭借其综合性能优势，成为工业级和消费类电源产品中理想的功率开关器件选择。

WFP7N60主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在要求高效率、高可靠性和紧凑设计的场合。一个典型的应用是在离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管使用，这类电路常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD电视电源模块以及LED照明驱动电源中。由于其600V的额定电压足以覆盖全球交流电网范围（85VAC~265VAC）经整流后的峰值电压，因此无需额外的电压裕量设计，简化了外围电路。
　　在LED恒流驱动电源中，WFP7N60可用于隔离式或非隔离式拓扑结构，实现稳定的直流输出以驱动高亮度LED灯串。其低导通电阻有助于减少发热，提高灯具的整体光效和寿命。此外，在家用电器如空调、洗衣机、微波炉等设备中，该MOSFET可用于控制内部辅助电源或小型电机驱动电路，提供高效的能量转换路径。
　　在工业控制领域，WFP7N60也适用于PLC电源模块、传感器供电单元和小型逆变器等设备。其宽温度工作范围和良好的抗干扰能力使其能在恶劣环境下稳定运行。另外，由于具备一定的雪崩耐受能力，该器件在突发浪涌或负载突变情况下仍能保持安全工作，提升了系统的故障容忍度。总而言之，WFP7N60凭借其高性能指标和成熟的技术平台，已成为众多电源工程师在中等功率段首选的功率MOSFET之一。

SPW7N60C3
　　STP7NK60ZFP
　　FQP7N60C
　　KSE7N60F
　　IRFBC40