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WFP75N08 发布时间 时间:2025/5/29 10:11:10 查看 阅读:6

WFP75N08是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用N沟道增强型技术。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。这款器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频率下高效工作。
  WFP75N08的主要特点是其耐压能力达到80V,并且具备快速开关特性,适合用于需要高效率和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压(Vds):80V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):75A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):360W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  输入电容(Ciss):4800pF
  输出电容(Coss):250pF

特性

WFP75N08采用了先进的制造工艺,确保了其卓越的性能表现。
  1. 高击穿电压:该器件支持高达80V的工作电压,适用于多种高压应用环境。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,Rds(on)仅为4.5mΩ,大幅降低了传导损耗。
  3. 快速开关速度:由于优化的电容设计,WFP75N08能够实现更快的开关切换,从而减少开关损耗。
  4. 热稳定性强:其最高工作温度可达175℃,并具有良好的散热性能。
  5. 符合RoHS标准:环保无铅封装,满足国际环保要求。

应用

WFP75N08因其高性能特点,适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器和电源模块。
  2. 电机驱动:用于控制直流电机或无刷直流电机的速度与方向。
  3. DC-DC转换器:实现高效的电压变换功能。
  4. UPS不间断电源系统:
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF7843,
  FDP16N08,
  STP75NF08

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