WFP75N08 时间：2025/5/29 10:11:10 阅读：20

WFP75N08是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型技术。它广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。这款器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够在高频率下高效工作。
　　WFP75N08的主要特点是其耐压能力达到80V，并且具备快速开关特性，适合用于需要高效率和低损耗的应用场景。

参数

最大漏源电压(Vds)：80V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：360W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
　　输入电容(Ciss)：4800pF
　　输出电容(Coss)：250pF

特性

WFP75N08采用了先进的制造工艺，确保了其卓越的性能表现。
　　1. 高击穿电压：该器件支持高达80V的工作电压，适用于多种高压应用环境。
　　2. 低导通电阻：在典型条件下，Rds(on)仅为4.5mΩ，大幅降低了传导损耗。
　　3. 快速开关速度：由于优化的电容设计，WFP75N08能够实现更快的开关切换，从而减少开关损耗。
　　4. 热稳定性强：其最高工作温度可达175℃，并具有良好的散热性能。
　　5. 符合RoHS标准：环保无铅封装，满足国际环保要求。

应用

WFP75N08因其高性能特点，适用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：如AC-DC适配器和电源模块。
　　2. 电机驱动：用于控制直流电机或无刷直流电机的速度与方向。
　　3. DC-DC转换器：实现高效的电压变换功能。
　　4. UPS不间断电源系统：
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。