时间：2025/5/12 13:03:50
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SI6913DQ-T1-BE3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率、高密度的电源转换应用。其封装形式为 Hot FET? 封装，有助于提高散热性能并降低寄生电感。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电池供电设备以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
栅极电荷（典型值）：57nC
总电容（输入电容）：1090pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3L（DPAK）
SI6913DQ-T1-BE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 24A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，适合高频应用。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在极端环境下的可靠性。
5. 热增强型封装设计，提高了散热能力和电气性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
7. 可靠性经过严格测试，适合工业和消费类应用。
SI6913DQ-T1-BE3 常用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的充放电控制。
4. 电机驱动中的功率级控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 汽车电子系统中的电源管理。
7. 笔记本电脑和服务器的电源模块设计。
SI6912DY-T1-E3, IRF7840PBF, AO3400A
