时间：2025/11/6 3:46:22
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WF08H4R99BTL是一款由Wolfspeed（原Cree）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频功率放大应用设计。该器件利用先进的氮化镓半导体技术，具备高效率、高功率密度和优异的热性能，广泛应用于无线通信基础设施，如4G LTE和5G基站、宏蜂窝与小蜂窝网络、微波回传系统以及工业与军用射频设备中。WF08H4R99BTL采用紧凑型表面贴装封装，适合在高频段（例如1.8 GHz至2.7 GHz）下工作的宽带功率放大器设计。其结构基于耗尽型（Depletion-mode）工作模式，通常需要负栅极偏置来关断器件，在实际应用中需配合适当的驱动电路以确保稳定运行。这款晶体管在匹配优化后可实现高增益、低失真和出色的线性度，满足现代通信系统对能效和信号质量的严苛要求。此外，得益于氮化镓材料本身的宽禁带特性，该器件能够在较高的结温下长期可靠运行，增强了系统的环境适应能力。制造商提供了详尽的应用指南、参考电路和热管理建议，帮助工程师快速完成从原型设计到量产的过渡。
型号：WF08H4R99BTL
制造商：Wolfspeed (Cree)
器件类型：射频功率放大器用GaN HEMT
工艺技术：GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅衬底上）
工作频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率：典型值约8 W（连续波）
增益：典型值 >16 dB @ 2.14 GHz
漏极电压：Vd = 28 V
栅极电压：Vgs = -2.5 V 至 0 V
静态工作点电流：Idq ≈ 数百毫安（具体依偏置条件而定）
封装形式：表面贴装，小型陶瓷封装
输入/输出阻抗：已内部匹配或部分匹配，支持宽带操作
热阻：Rth ≈ 1.5 °C/W（典型值）
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
工作结温范围：-55°C 至 +225°C
WF08H4R99BTL采用先进的GaN-on-SiC半导体工艺，具备卓越的射频性能和高可靠性，适用于中等功率级别的射频放大需求。其核心优势在于高功率密度与高效率的结合，相较于传统的LDMOS器件，能在更高频率下维持优异的功率附加效率（PAE），从而显著降低系统功耗和散热负担。该器件在2.14 GHz典型工作频率下可提供超过8瓦的连续波输出功率，并保持良好的增益平坦度与线性表现，适用于复杂调制信号如OFDM、QAM等场景下的高效放大。
器件具有较低的输入电容和栅极电荷，使得驱动电路设计更为简便，同时减少了开关损耗，提升了整体系统响应速度。由于采用了碳化硅衬底，WF08H4R99BTL拥有出色的导热性能，能够有效将热量传导至PCB或散热器，延长使用寿命并提高长期稳定性。此外，该晶体管具备较强的抗负载失配能力，在VSWR不理想的情况下仍能维持安全运行，内置的热保护机制进一步增强了鲁棒性。
WF08H4R99BTL支持宽带匹配设计，可在多个频段内灵活调整，适用于多模多频通信系统。其封装结构经过优化，具备良好的射频连接性和机械强度，适合自动化贴片生产流程。制造商还提供完整的SPICE模型、S参数文件及推荐的匹配网络方案，便于仿真验证与快速开发。总体而言，该器件是面向下一代无线通信基础设施的理想选择，尤其适合追求高集成度、高效率和长寿命的设计项目。
主要用于4G/5G蜂窝通信基站中的射频功率放大级，包括宏站、微站和分布式天线系统；适用于点对点和点对多点微波通信链路；可用于公共安全通信、广播发射机以及军用雷达和电子战系统中的中等功率射频放大模块；也适合测试仪器、信号发生器等工业射频设备中作为宽带功率输出单元。
CGHV1F800S-AMP
