MRF282SC 时间：2025/9/2 18:39:27 阅读：8

MRF282SC 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产设计的射频功率晶体管（RF Power Transistor），主要用于高频（HF）和甚高频（VHF）范围内的无线通信设备中。该器件采用 N 沟道增强型横向金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）技术制造，能够在高频率下提供高输出功率和优异的线性性能。MRF282SC 通常被应用在工业、科学和医疗（ISM）频段、广播设备、测试仪器和其他射频功率放大应用中。

参数

类型：N 沟道 LDMOSFET
　　工作频率范围：DC - 500 MHz
　　最大漏极电压：VDS = 65V
　　最大漏极电流：ID = 2.0A
　　输出功率（典型值）：25W
　　增益（典型值）：20dB
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-500

特性

MRF282SC 的核心特性之一是其在 500MHz 以下频段内出色的射频功率处理能力，能够提供高达 25W 的连续波（CW）输出功率。它具有高增益特性，典型增益达到 20dB，这使得该器件在多级放大器结构中能够有效减少前级驱动的需求，从而简化整体电路设计。
　　此外，该晶体管采用高稳定性 LDMOS 技术，具备良好的热稳定性和高可靠性，即使在高功率和高温环境下也能保持稳定的性能。其漏极电压最高可达 65V，允许设计者在应用中灵活选择电源电压，以优化输出功率和效率。
　　MRF282SC 还具备良好的抗失真能力，特别适合用于要求高线性度的通信系统中，例如调频广播（FM）、电视广播（TV）和工业通信设备。其封装形式为 SOT-500，具有良好的射频连接性能和散热能力，适用于表面贴装技术（SMT）工艺，提高了组装效率。
　　该器件的工作温度范围较宽，从 -65°C 到 +150°C，使其能够在极端环境条件下运行，适用于户外设备和工业级应用。MRF282SC 的高可靠性和稳定性也使其成为许多专业通信系统中首选的射频功率晶体管之一。

应用

MRF282SC 被广泛应用于各类射频功率放大器的设计中，尤其适合用于 HF 到 VHF 频段的通信系统。例如，在广播发射机中，该晶体管可作为末级功率放大器使用，为调频（FM）或电视广播信号提供高效的功率放大。
　　在工业领域，MRF282SC 常用于射频测试设备、信号发生器和射频加热系统中的功率放大模块。由于其良好的线性度和高输出功率能力，该器件也适用于无线基础设施设备，如基站、中继器和点对点微波通信系统。
　　此外，该晶体管在业余无线电（Ham Radio）设备中也有广泛应用，作为射频放大器的核心组件，为无线电爱好者提供可靠的高功率输出。在医疗和科研领域，MRF282SC 可用于射频治疗设备和实验仪器中，为特定频率的射频能量提供稳定的功率支持。