类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1500V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：6A
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：80A（半正弦波，60Hz）
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 6A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@ VR = 1500V, TJ = 25°C）；5mA（@ VR = 1500V, TJ = 175°C）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：3.0°C/W（典型值）
　　封装形式：TO-220-2L
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）

WF06U1502BTL的核心优势在于其基于第六代碳化硅肖特基势垒技术的设计，实现了极低的正向导通压降与几乎为零的反向恢复电荷，从而大幅降低了开关过程中的能量损耗。这一特性使其特别适用于高频开关电源拓扑结构，如图腾柱无桥PFC电路，能够在MHz级开关频率下保持高效运行。此外，该器件不存在少数载流子存储效应，因此不会产生传统PIN二极管所伴随的反向恢复电流尖峰，有效减少了电磁干扰（EMI）问题，并避免了因反向恢复引起的主开关器件应力增加。
　　该二极管具有出色的高温工作能力，可在高达175°C的结温下稳定运行，且高温下的反向漏电流控制优于前代产品，确保了在高温工况下的可靠性。同时，其较低的热阻（RθJC = 3.0°C/W）使得热量能够高效地从芯片传递至散热器，支持更高的功率密度设计。WF06U1502BTL还具备优异的抗雪崩能力和高浪涌电流承受能力（IFSM达80A），增强了在瞬态过载或电网波动情况下的鲁棒性。
　　得益于碳化硅材料本身的宽带隙特性，该器件拥有更高的临界击穿电场强度，能够在1500V高压应用中提供更小的器件尺寸和更高的可靠性。其TO-220-2L封装经过优化，具备良好的绝缘性能和机械强度，便于集成到现有模块化设计中。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于全球范围内的绿色能源项目部署。

WF06U1502BTL广泛应用于多种高效率电力转换系统中。在光伏太阳能逆变器中，它常用于直流侧升压电路中的续流或钳位二极管，利用其低VF和零Qrr特性显著提升系统整体效率，尤其是在轻载和部分负载条件下表现优异。在电动汽车领域，该器件被用于车载充电机（OBC）的功率因数校正（PFC）级，帮助实现更高功率密度和更小体积的设计目标。
　　在工业电源系统中，如服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中，WF06U1502BTL可用于有源钳位、输出整流或辅助电源整流等环节，减少热管理复杂度并提高系统可靠性。其高温耐受能力也使其适用于密闭空间或自然冷却条件下的应用场景。
　　此外，在电机驱动器特别是变频器中，该二极管可作为IGBT模块外部的续流路径，消除反向恢复带来的换相损耗和电压振荡，提升驱动系统的动态响应和能效水平。在新兴的固态变压器和储能系统中，WF06U1502BTL同样展现出良好的适应性，支持高频率、高电压和高可靠性的系统架构演进。

C4D06150A