类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：6 A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：65 A
　　最大正向电压（VF）：1.7 V @ 6A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：200 μA @ 1000V, 25°C；5 mA @ 1000V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结到壳（RθJC）：3.5 °C/W
　　封装形式：TO-220-2L

WF06H1000BTL作为一款基于碳化硅半导体工艺制造的肖特基势垒二极管，具备多项卓越的技术特性，使其在现代高效电力电子系统中占据重要地位。首先，该器件实现了零反向恢复电荷（Qrr = 0）和几乎无反向恢复电流（Irr），这源于碳化硅材料中不存在少数载流子的存储效应。这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频PWM控制的PFC电路或DC-DC变换器中表现尤为突出。由于没有反向恢复引起的电流尖峰，系统中的电压振荡和EMI噪声也显著降低，有助于简化滤波电路设计并提高整体电磁兼容性。
　　其次，WF06H1000BTL拥有极佳的温度稳定性。其正向导通压降随温度变化较小，且反向漏电流虽随温度上升有所增加，但仍处于可控范围内。即使在175°C的高温结温条件下，最大反向漏电流仅为5mA，在多数应用中仍可接受。这种高温耐受能力使得该器件可在恶劣热环境中长期可靠运行，适用于车载电源、工业电机驱动等对散热条件有限制的场合。
　　再者，该二极管具有高达1000V的重复峰值反向电压和6A的平均正向电流能力，结合仅1.7V的典型正向压降（@6A, 25°C），确保了较低的导通损耗和较高的能效水平。其热阻结至壳（RθJC）仅为3.5°C/W，表明其具备良好的热传导性能，配合合适的散热措施可实现持续高负载运行。此外，TO-220-2L封装不仅机械强度高，而且兼容主流安装方式，适合自动化生产流程。
　　最后，该器件无需额外的缓冲电路或复杂驱动设计即可直接替换传统硅基FRD或UF diode，大幅缩短产品开发周期并提升系统可靠性。综合来看，WF06H1000BTL凭借其高频、高效、高温、高可靠性的四高特性，成为下一代绿色能源与电力电子系统中的关键元器件之一。

WF06H1000BTL因其优异的电气与热性能，被广泛应用于多个高要求的电力电子领域。在功率因数校正（PFC）电路中，特别是升压型PFC拓扑结构中，该二极管常用于输出整流环节，利用其零反向恢复特性来消除开关管关断时的电流冲击，从而提升转换效率并降低MOSFET或IGBT的应力。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压模块或旁路保护电路，以应对户外高温环境并保障长时间稳定发电。此外，在不间断电源（UPS）、服务器电源、通信电源等AC-DC转换设备中，WF06H1000BTL可用于次级整流或辅助电源整流，帮助实现小型化与高效化设计。
　　在电动汽车相关系统中，该二极管也具备广泛应用前景，例如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及充电桩内部的功率模块中。其高耐压、高效率和耐高温特性能够满足新能源汽车对安全性和可靠性的严苛要求。同时，在工业电机驱动器、感应加热设备和激光电源等大功率应用中，WF06H1000BTL可作为自由轮续流二极管使用，有效抑制感性负载产生的反电动势，保护主开关器件。此外，由于其封装形式标准化，易于集成到现有设计中，因此特别适合需要快速产品迭代和技术升级的应用场景。无论是追求极致能效还是增强系统鲁棒性，WF06H1000BTL都提供了强有力的解决方案。

C4D06120A
　　SDT6S1000