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SD200N20PC 发布时间 时间:2025/12/26 20:19:01 查看 阅读:22

SD200N20PC是一款高性能的N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极工艺制造,专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力和优异的热稳定性,适用于多种工业、消费类电子及电源管理系统。其额定电压为200V,最大连续漏极电流可达数十安培,适合在高功率密度环境中运行。SD200N20PC通常封装于TO-247或类似的大功率封装中,具备良好的散热性能,能够有效降低系统温升,提高整体可靠性。该器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及电池管理系统等场合。
  作为一款面向中高压应用的MOSFET,SD200N20PC在设计上优化了开关速度与导通损耗之间的平衡,有助于提升电源系统的能效等级。同时,其内部结构具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定工作,增强了系统的鲁棒性。此外,该器件还具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),有利于减少开关损耗,特别适合高频开关操作场景。制造商通常会在数据手册中提供详细的热阻参数、安全工作区(SOA)曲线以及动态特性测试结果,供工程师进行精确的热管理和电路设计。

参数

型号:SD200N20PC
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):200V
  连续漏极电流(ID):200A
  脉冲漏极电流(IDM):800A
  导通电阻(RDS(on) max @ VGS=10V):1.8mΩ
  栅源阈值电压(VGS(th)):3~5V
  栅极电荷(Qg):350nC
  输入电容(Ciss):12000pF
  输出电容(Coss):1000pF
  反向恢复时间(trr):50ns
  工作结温范围(Tj):-55℃ ~ +175℃
  封装形式:TO-247

特性

SD200N20PC采用了先进的沟槽型垂直MOSFET结构,这种结构通过在硅片表面刻蚀出深沟槽并形成栅极电极,显著提升了单位面积下的载流子迁移率,从而实现了极低的导通电阻。这不仅降低了导通状态下的功率损耗,也减少了对散热系统的依赖,使系统可以实现更高的功率密度。该器件的RDS(on)典型值仅为1.8mΩ,在同类200V N沟道MOSFET中处于领先水平,尤其适合大电流应用场景,如大功率DC-DC变换器和电动工具驱动电路。
  该MOSFET具备出色的开关特性,其栅极电荷(Qg)控制在350nC以内,配合较低的米勒电容(Crss),使得在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗和开关延迟。这对于提高电源转换效率至关重要,尤其是在软开关拓扑如LLC谐振转换器中表现尤为突出。同时,其输出电容(Coss)较小,意味着在关断过程中储存的能量较少,进一步降低了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  在可靠性方面,SD200N20PC经过严格的设计验证,具备良好的热稳定性与长期耐用性。其最大工作结温可达+175℃,远高于常规器件的+150℃标准,表明其可在高温环境下持续稳定运行。此外,器件通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试(视具体制造商而定),可用于要求严苛的工业与汽车电子系统。内置的体二极管具有快速反向恢复特性(trr≈50ns),适用于需要频繁续流操作的应用场景,例如H桥电机驱动和同步整流电路。
  封装方面,TO-247封装提供了优良的电气隔离和热传导性能,可通过外部散热器高效地将热量传递至环境,避免局部过热导致的性能下降或失效。引脚布局符合行业标准,便于PCB布线与自动化装配。总体而言,SD200N20PC是一款集低损耗、高可靠性与高频适应性于一体的高端功率MOSFET,适用于对效率和稳定性有极高要求的现代电力电子系统。

应用

SD200N20PC广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子设备中。在开关电源领域,它常用于服务器电源、通信电源和工业电源中的主开关管或同步整流管,凭借其低RDS(on)和高电流承载能力,可显著提升电源的整体效率并降低温升。在DC-DC转换器中,特别是在升压(Boost)、降压(Buck)和双向变换器拓扑中,该器件因其优异的动态响应和低开关损耗而成为首选方案之一。
  在新能源系统中,SD200N20PC被用于太阳能逆变器和储能系统的功率级电路中,负责能量的高效转换与调控。其高耐压特性使其能够应对光伏阵列输出电压波动带来的冲击,同时支持高频率切换以减小滤波元件体积,提升系统集成度。在电动汽车和电动交通工具的车载充电机(OBC)、DC-DC转换模块中,该器件同样表现出色,满足汽车级应用对可靠性和温度范围的严苛要求。
  此外,该MOSFET还可用于电机驱动系统,尤其是大功率无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)的逆变桥臂中。其快速开关能力和低导通压降有助于实现精准的矢量控制和高效的能量回馈制动。在工业自动化设备、UPS不间断电源、焊接电源和感应加热装置中,SD200N20PC也发挥着关键作用,确保系统在重负载下仍能稳定运行。总之,凡是需要处理200V级别电压和百安级以上电流的场合,SD200N20PC都是一种极具竞争力的功率开关解决方案。

替代型号

IPW60R028K5, FQP20N20C, STW20NK20Z, IRFP4668, APT50M20U

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SD200N20PC参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)2000V(2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)200A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.4V @ 630A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电15mA @ 2000V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-205AC,DO-30,接线柱
  • 供应商设备封装DO-205AC(DO-30)
  • 包装散装
  • 其它名称*SD200N20PCVS-SD200N20PCVS-SD200N20PC-NDVSSD200N20PCVSSD200N20PC-ND