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WESD24V0B2S2 发布时间 时间:2025/6/21 1:29:00 查看 阅读:4

WESD24V0B2S2 是一款由 Vishay 公司生产的瞬态抑制二极管阵列 (TDA),主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用小尺寸的 SOT-23 封装,适合空间受限的应用场景。
  该元器件具有双向保护特性,能够有效吸收正负双向的过电压脉冲,并且其低电容设计非常适合高速数据线和射频信号线路的保护。

参数

工作电压:24V
  峰值脉冲电流:1.1A
  钳位电压:37.9V
  结电容:0.35pF
  响应时间:小于等于 1ps
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

WESD24V0B2S2 具有以下主要特点:
  1. 双向保护功能,支持正负双向过压抑制。
  2. 极低的结电容(0.35pF),确保对高速信号的影响降到最低。
  3. 高度可靠的 ESD 保护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准,能够承受高达 ±25kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
  4. 快速响应时间(<1ps),可以迅速抑制瞬态电压尖峰。
  5. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间,适合便携式和高密度设计。
  6. 工作温度范围广(-55℃ 至 +150℃),适应各种严苛环境。

应用

WESD24V0B2S2 广泛应用于需要保护高速数据接口或射频信号线路免受 ESD 和其他瞬态电压威胁的场合,包括但不限于以下领域:
  1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速数据接口保护。
  2. 射频模块、天线端口和无线通信系统中的信号线路保护。
  3. 汽车电子系统中的传感器接口保护。
  4. 工业自动化设备中的控制信号线路保护。
  5. 手机、平板电脑和其他便携式消费电子产品中的 ESD 防护。
  6. 医疗设备中的关键信号链保护。

替代型号

WESD24VN6CA, PESD24VA1BT,TBU01024WSH

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