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TQQ1007 IC 发布时间 时间:2025/8/15 9:52:52 查看 阅读:4

TQQ1007 是一款由 Qorvo(威讯联合半导体)生产的高性能射频功率晶体管(RF Power Transistor),采用 GaN(氮化镓)技术制造。该器件适用于高频率和高功率应用,具有优异的效率和热管理能力。TQQ1007 主要用于无线通信系统、雷达、工业设备和测试设备中的射频功率放大器设计。

参数

工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
  输出功率:750 W(连续波)
  增益:>18 dB
  效率:>60%
  工作电压:50 V
  封装类型:陶瓷封装
  输入和输出阻抗:50Ω

特性

TQQ1007 采用 GaN 技术,具备高功率密度和高效率,能够在高频段提供稳定可靠的性能。
  该器件具有良好的热传导特性,可以承受较高的工作温度,并保持较低的热阻,从而延长使用寿命。
  其高增益特性和宽频带设计使其适用于多种射频功率放大应用,特别是在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内表现优异。
  此外,TQQ1007 具备出色的线性度和稳定性,适合用于高要求的通信系统和军事雷达系统。

应用

TQQ1007 广泛应用于无线通信基础设施,如基站和中继器中的射频功率放大器模块。
  该器件也常用于雷达系统、电子战设备、测试和测量仪器等高功率射频设备中。
  此外,TQQ1007 还可用于工业加热设备和医疗射频设备中的功率放大环节。

替代型号

TQQ1015, TGF2761, CGH40070

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