WESD10V0BW6 是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其它瞬态电压威胁而设计。该器件采用DFN封装,具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力等特性,非常适合高速数据线和信号线的保护。
WESD系列器件广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制以及其他需要可靠保护的应用场景中。
型号:WESD10V0BW6
工作电压(VRWM):10V
反向击穿电压(VBR):11.5V
最大箝位电压(VC):18V
峰值脉冲电流(IPP):39A
电容(C):7pF
结电容(CR):8pF
响应时间(tp):1ps
最大工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:DFN1006-2
WESD10V0BW6 具有以下主要特性:
1. 低电容设计,适合高速数据线路保护。
2. 极快的响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的静电防护能力,符合IEC61000-4-2国际标准(接触放电±15kV,空气放电±15kV)。
4. 小型化封装(DFN1006-2),节省电路板空间。
5. 良好的热稳定性和机械稳定性,适用于苛刻的工作环境。
6. 符合RoHS环保要求,无铅设计。
WESD10V0BW6 主要用于以下应用场景:
1. USB接口保护,包括USB2.0、USB3.0等高速数据传输端口。
2. HDMI、DisplayPort等视频接口的ESD保护。
3. 移动通信设备中的射频信号线保护。
4. 工业自动化设备中的传感器信号线保护。
5. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线等信号线保护。
6. 任何需要防止因瞬态电压导致损坏的电子设备或模块。
WESD10V0G,WED5V0BW6,SM10TBA