时间：2025/3/27 14:28:58
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WED3DG6435V75JD1是一种高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高可靠性应用设计。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，能够提供较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于各类电力电子转换设备，如电源适配器、LED驱动器以及工业控制中的开关电源模块。
其封装形式和电气特性使其非常适合用于需要高效能和散热良好的场景。同时，它还具有出色的热稳定性和抗电磁干扰能力，能够在苛刻的工作环境下保持稳定的性能。
型号：WED3DG6435V75JD1
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：0.075Ω(典型值，25°C)
总功耗(Ptot)：280W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
1. 极低的导通电阻，在高温条件下仍能保持高效的能量传输。
2. 快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
3. 高雪崩击穿能力和强健的短路耐受能力，确保在异常情况下的可靠运行。
4. 内置的防静电保护电路进一步增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，采用环保材料制造，适合绿色能源项目。
6. 支持表面贴装和通孔安装，便于不同类型的PCB设计需求。
1. 开关电源(SMPS)：包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 太阳能逆变器：用于将直流电转化为交流电。
3. 电动工具：如无刷电机驱动电路。
4. 工业自动化：例如可编程逻辑控制器(PLC)中的功率控制部分。
5. 电动汽车(EV)充电站：作为核心功率元件实现高效的电力管理。
6. LED照明：用作恒流或恒压驱动的核心组件。
IRFP250N
STP30NF55
FDP17N65
IXYS5N80E
