时间：2025/9/3 9:38:48
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MBR6025是一款由ON Semiconductor生产的600V、25A的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）。该器件采用了先进的碳化硅技术，具有低正向压降、高反向阻断电压和高可靠性等优点。MBR6025广泛应用于高效率电源转换系统，如光伏逆变器、电动汽车充电器、工业电源和UPS系统中，能够在高温和高频率条件下稳定工作。
最大重复峰值反向电压：600V
最大正向电流：25A
正向电压（@25A, 25°C）：1.8V（最大）
反向漏电流（@600V, 25°C）：100μA（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
结电容：350pF（典型值）
安装类型：通孔
封装类型：TO-247
MBR6025的核心优势在于其采用的碳化硅材料，这种材料相较于传统的硅材料具有更高的热导率、更高的击穿电场强度以及更低的导通损耗。这使得MBR6025在高温环境下依然能保持优异的性能，并且能够在高频工作条件下减少开关损耗，提高系统效率。此外，MBR6025没有反向恢复时间，这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流，从而减少了电磁干扰（EMI）并提高了系统的可靠性。该器件还具有优异的抗浪涌能力，可以在短时过载条件下正常工作，增强了系统的稳定性。
MBR6025的封装设计采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于高功率密度设计。该封装方式也便于在散热器上的安装，提升了整体的热管理效率。此外，MBR6025的引脚排列设计符合行业标准，方便在现有电路中进行替换或升级。
MBR6025广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括光伏逆变器、电动汽车充电器、工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和储能系统等。在这些应用中，MBR6025能够有效降低导通损耗和开关损耗，提高系统的整体效率。由于其无反向恢复特性，该器件特别适用于高频开关电路，可以减少电磁干扰并简化滤波电路的设计。此外，在电动汽车充电设备中，MBR6025的高温稳定性和高可靠性使其成为理想的功率二极管选择。
MBR6025W, MBR6025T3G
