WCT8S116H-8 时间：2025/8/21 7:07:32 阅读：23

WCT8S116H-8 是一款由 Winbond 生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM），属于高速CMOS SRAM系列，容量为128K x 8位，访问速度为8ns。该芯片广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备及消费类电子产品中。

参数

容量：128K x 8 位
　　访问时间：8ns
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：1.5V
　　最大工作频率：125MHz（典型）
　　封装尺寸：18mm x 22mm
　　输入/输出电平：CMOS 兼容

特性

WCT8S116H-8 是一款具有高速存取能力的异步SRAM，其8ns的访问时间能够满足高性能系统对数据处理速度的要求。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适合在复杂环境中长期运行。其128KB的存储容量适用于缓存、缓冲存储和高速数据暂存等应用场景。WCT8S116H-8 采用54引脚TSOP封装，便于PCB布局和焊接，适用于空间有限的设计。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其非常适合工业级应用。此外，该器件支持低电压数据保持模式，在系统断电或待机状态下仍可保留数据，有助于实现节能设计。该SRAM无需刷新操作，简化了系统设计并提高了稳定性。
　　WCT8S116H-8 还具备良好的抗干扰能力和稳定的电气性能，能够在高噪声环境中保持正常工作。其CMOS兼容的输入输出电平使其可以轻松连接到各种微控制器、FPGA或ASIC系统中，广泛用于通信设备、测试仪器、视频处理模块和嵌入式控制系统等场合。