时间：2025/6/4 11:22:07
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WCL048N10DN 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和出色的散热性能，能够满足现代射频和微波系统的严格要求。其主要应用于雷达、卫星通信、5G基础设施以及其他高性能射频系统中。
型号：WCL048N10DN
类型：增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)
材料：氮化镓(GaN)
额定电压：100V
最大漏极电流：8A
栅极电荷：30nC
导通电阻：20mΩ
开关频率：高达4GHz
封装形式：表面贴装(SMD)
工作温度范围：-55℃至+175℃
WCL048N10DN 的主要特点是采用了氮化镓材料，使其具备了优异的高频特性和高功率处理能力。
1. 高击穿电压：相比传统的硅基MOSFET，GaN HEMT能够支持更高的击穿电压，从而适用于更广泛的应用场景。
2. 高效率：由于导通电阻较低，WCL048N10DN能够在高电流条件下保持较高的效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输出电容使得该器件在高频操作时表现出色。
4. 热稳定性强：即使在极端温度条件下，WCL048N10DN也能保持稳定的电气性能。
5. 小型化设计：得益于先进的SMD封装技术，这款器件非常适合空间受限的应用环境。
WCL048N10DN 主要用于需要高效率、高频率和大功率输出的场合：
1. 射频功率放大器：特别是在5G基站和卫星通信系统中，对高频和高功率的需求使该器件成为理想选择。
2. 工业级电源转换：例如DC-DC转换器和无线充电设备，可利用其高效能实现更好的能源管理。
3. 军事与航空航天领域：如相控阵雷达和其他关键任务系统，这些应用通常需要可靠且高效的功率传输。
4. 医疗成像设备：超声波发射器等需要快速响应和高精度控制的应用也适合使用此款晶体管。
WCL048N12DP
GAN043-100WS
CGH40010
