H9DCNNN51JMMMR-NEM 时间：2025/9/1 19:36:13 阅读：6

H9DCNNN51JMMMR-NEM 是一款由SK Hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器芯片主要用于嵌入式系统、移动设备以及需要高性能内存解决方案的电子设备中。H9DCNNN51JMMMR-NEM 采用了先进的制造工艺，具备高密度存储能力和出色的稳定性，适用于需要高速数据处理的应用场景。

参数

容量：512MB
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　电压：1.8V
　　工作温度范围：-40°C 至 85°C
　　接口：Mobile LPDDR2
　　数据速率：800Mbps
　　数据宽度：32位
　　存储架构：x32

特性

H9DCNNN51JMMMR-NEM 是一款高性能的移动LPDDR2 SDRAM芯片，专为低功耗和高带宽应用而设计。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的稳定性和可靠性。其工作电压为1.8V，能够在广泛的温度范围内稳定运行，适合工业级和消费级应用。
　　该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不损失数据的情况下最大限度地降低功耗。此外，H9DCNNN51JMMMR-NEM 还支持突发模式（Burst Mode），提高了数据传输效率，适用于对性能要求较高的移动设备和嵌入式系统。
　　其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有良好的散热性能和电气特性，适用于空间受限的高密度PCB设计。该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、车载系统以及工业控制设备等。