时间：2025/9/2 2:35:05
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H9CCNNNBKTMLBR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为移动设备和高带宽需求的应用设计。LPDDR4在功耗、速度和容量方面都有显著提升，广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等设备。
类型：DRAM
子类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：168
工作温度：-40°C ~ 85°C
封装尺寸：8mm x 10mm
组织结构：x16
时钟频率：1600MHz
H9CCNNNBKTMLBR-NUD 是一款先进的LPDDR4内存芯片，具有出色的性能和能效。其核心特性包括高速数据传输能力、低功耗设计以及高集成度。该芯片支持高达3200Mbps的数据速率，使得其在处理大量数据时表现出色，非常适合高带宽需求的应用场景。
这款芯片采用1.1V的低电压设计，显著降低了功耗，有助于延长移动设备的电池寿命。此外，其工作温度范围宽泛，为-40°C至85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行，适用于严苛的工业和消费类电子产品环境。
H9CCNNNBKTMLBR-NUD 使用168引脚的FBGA封装，尺寸为8mm x 10mm，适合紧凑型设备设计。其x16组织结构和1600MHz的时钟频率确保了高效的数据处理能力，满足现代高性能计算平台的需求。
该芯片还具备良好的兼容性，能够与多种SoC（系统级芯片）平台无缝集成，并支持先进的内存管理功能，如自动刷新和自刷新模式，从而提高系统稳定性和数据完整性。
H9CCNNNBKTMLBR-NUD 广泛应用于需要高性能内存的电子设备中，尤其适合移动设备和嵌入式系统。该芯片常见于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能电视、网络设备和工业控制系统中。其低功耗和高带宽特性使其成为多任务处理、图形密集型应用和实时数据处理的理想选择。此外，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS），以提供快速、可靠的数据处理能力。
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