时间：2025/6/19 14:00:09
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WBM155R71H102KA01D 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，专为高效率和高功率密度应用而设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，非常适合电动汽车、工业电源转换系统以及可再生能源领域的应用。
这款 MOSFET 芯片采用先进的制造工艺，在提供卓越电气性能的同时，也具备高可靠性和稳定性。其耐压能力较强，适用于需要处理高电压和大电流的工作场景。
额定电压：1200V
额定电流：80A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：150nC
开关频率：最高可达 100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：裸芯片（Die）
WBM155R71H102KA01D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），从而显著降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合，同时 高温适应性，能够在高达 +175℃ 的环境中稳定运行，满足严苛工况需求。
4. 碳化硅材料赋予器件更高的能效和更小的体积，有助于缩小系统尺寸。
5. 出色的抗浪涌能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的长期可靠性。
6. 封装为裸芯片形式，便于集成到模块或定制电路中，进一步优化散热路径。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
2. 太阳能逆变器及其他可再生能源发电系统。
3. 工业电机驱动、不间断电源（UPS）和 DC-DC 转换器。
4. 高频硬开关及软开关拓扑结构的功率变换器。
5. 其他对效率、功率密度和可靠性的要求较高的电力电子设备。
WBM155R71H102KA01P
WBM155R71H102GA01D
