时间：2025/8/13 7:08:47
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AZ5123-01HT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的低压差稳压器（LDO），专为低功耗、高精度和高稳定性应用而设计。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的静态电流，适用于便携式设备、电池供电系统和其他对功耗敏感的应用。AZ5123系列提供多种固定输出电压版本，用户可以根据具体需求选择合适的型号。
类型：低压差稳压器（LDO）
输出电压：可选（如1.8V、2.5V、3.3V等）
输出电流：最大150mA
输入电压范围：2.0V至6.0V
静态电流：典型值5.5μA
压差电压：典型值120mV @ 150mA负载
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP、DFN等
AZ5123-01HT1G具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低压差特性（典型值120mV）使得在电池供电设备中可以更有效地利用剩余电池电压，延长设备运行时间。其次，该器件的静态电流极低（典型值5.5μA），有助于降低系统待机功耗。此外，AZ5123-01HT1G内置过热保护和过流保护功能，确保在异常工作条件下器件的安全运行。
该稳压器还具有出色的负载和线路调节能力，输出电压稳定性高，适用于对电压精度要求较高的模拟和数字电路。AZ5123-01HT1G支持小型封装（如TSOP和DFN），便于在空间受限的设计中使用。此外，该器件在宽输入电压范围内（2.0V至6.0V）均可稳定工作，适应性强，适用于多种应用场景。
AZ5123-01HT1G广泛应用于对功耗和尺寸要求较高的电子设备中，如便携式医疗设备、智能穿戴设备、无线传感器网络、电池管理系统、工业控制系统、消费类电子产品（如MP3播放器、电子书阅读器）以及低功耗微控制器供电系统。由于其出色的稳定性和低功耗特性，该器件也非常适合用于敏感的模拟电路和射频（RF）模块的电源管理。
NCP551SN18T1G, XC6206P182MR, TPS70933DDCT
