WB3M200VD2TR100 时间：2025/8/1 3:47:33 阅读：31

WB3M200VD2TR100 是由东芝（Toshiba）推出的一款高效、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块。该模块采用先进的封装技术，具备出色的热管理和电气性能，适用于高频率和高效率的功率转换应用。WB3M200VD2TR100 特别适用于工业电源、逆变器和电动汽车充电系统等要求苛刻的环境。

参数

类型：MOSFET模块
　　漏极电流（Id）：200A
　　漏极-源极电压（Vds）：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.0mΩ
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双面散热封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻（Rth）：具体值根据散热条件而定

特性

WB3M200VD2TR100 拥有多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该模块的导通电阻极低，典型值仅为2.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，漏极-源极电压高达1200V，使其适用于高电压应用场景，如工业电源和电机驱动器。
　　其次，WB3M200VD2TR100 采用双面散热封装技术，提升了模块的热管理能力。这种设计允许热量从模块的顶部和底部同时散发，从而提高散热效率，延长模块的使用寿命。
　　该模块的封装设计也支持表面贴装（SMD）安装方式，简化了PCB布局并提高了生产效率。此外，其工作温度范围为-40°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境，确保在极端温度下的稳定运行。
　　WB3M200VD2TR100 还具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这一特性使其在电动汽车充电系统和可再生能源逆变器等应用中具有更高的可靠性和安全性。

应用

WB3M200VD2TR100 广泛应用于多个高功率领域。在工业电源中，该模块可用于高效DC-DC转换器和UPS系统，提供稳定的电力输出。在电机驱动器中，WB3M200VD2TR100 的高电压和低导通电阻特性使其成为高效能变频器的理想选择。
　　在电动汽车领域，WB3M200VD2TR100 适用于车载充电器和逆变器系统，支持高效的能量转换和管理，提高电动汽车的续航能力和充电效率。
　　此外，该模块还可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能变流器，帮助实现高效、可靠的能源转换，减少能源损耗。由于其优异的热管理和电气性能，WB3M200VD2TR100 也被广泛应用于高频开关电源和电力电子设备中。