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H5DU2562GTR-FAC 发布时间 时间:2025/5/8 20:02:47 查看 阅读:4

H5DU2562GTR-FAC 是一款由海力士(SK Hynix)生产的 NAND 闪存芯片。该芯片主要用于存储应用,具有高可靠性和快速的数据读写性能。它采用先进的制程工艺制造,提供大容量的存储空间,适用于各种嵌入式系统和消费类电子产品。

参数

存储容量:256Gb
  接口类型:Toggle DDR 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:WSON48
  数据传输速率:最高可达400MT/s
  擦写寿命:3000次

特性

H5DU2562GTR-FAC 具有以下显著特点:
  1. 高密度存储:单颗芯片即可提供256Gb的存储容量,满足大容量存储需求。
  2. 快速数据传输:支持Toggle DDR 2.0 接口,数据传输速率最高可达400MT/s。
  3. 低功耗设计:工作电压为1.8V,有效降低功耗。
  4. 可靠性高:经过严格测试,确保在各种环境下稳定运行。
  5. 小型化封装:采用WSON48封装形式,节省PCB空间,适合紧凑型设计。

应用

H5DU2562GTR-FAC 广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备的内部存储。
  2. 固态硬盘(SSD)和其他存储设备。
  3. 工业级嵌入式系统,如网络设备、监控系统等。
  4. 消费类电子产品,如数码相机、便携式媒体播放器等。
  5. 车载信息娱乐系统及其他需要高性能存储的应用场景。

替代型号

H5TC256T2GTAR-CAC, H5PU256REUQ-KUM

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