类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.015Ω（最大值0.018Ω）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-264

GM5BC95200AC具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET的导通电阻非常低，典型值仅为0.015Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其最大漏极电流可达200A，适用于高电流负载场景。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）额定值为500V，能够在高压环境下稳定工作，适用于多种工业和电源转换应用。栅源电压的最大值为±20V，具有良好的栅极控制能力，确保器件在各种工作条件下可靠运行。
　　此外，该MOSFET采用TO-264封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应广泛的环境条件，包括高温和低温应用。
　　在可靠性方面，GM5BC95200AC采用了先进的制造工艺和优化的结构设计，确保在高频率开关应用中保持稳定的性能。其快速开关能力减少了开关损耗，提高了系统的整体效率，特别适用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用场景。

该MOSFET适用于多种高功率电子设备和系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，GM5BC95200AC可以作为主开关器件，用于高效的能量转换和调节。在DC-DC转换器中，该器件能够实现高效率的电压变换，广泛用于通信电源、服务器电源和电动汽车充电系统。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于驱动大功率直流电机和无刷直流电机，适用于工业自动化设备、电动工具和机器人系统。此外，该器件也可用于逆变器设计，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），以实现高效的能量转换。
　　在汽车电子方面，GM5BC95200AC可用于车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制模块。由于其优异的热性能和高可靠性，适合在苛刻的汽车环境中使用。

IXFH200N50P, STP200N50FD, FCP200N60WF