类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.2Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

WB3M200VD1T具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具有快速的开关速度，适合用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于苛刻的工业环境。
　　在可靠性方面，WB3M200VD1T具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在过压或负载突变的情况下保持器件的安全运行。其栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅极电压，提供了更高的驱动灵活性。此外，该器件的封装设计具有良好的热传导性能，能够有效将热量从芯片传导至PCB，提高整体系统的散热效率。
　　由于采用了先进的制造工艺，WB3M200VD1T在性能一致性方面表现出色，适合用于对稳定性和一致性要求较高的电源管理应用。

WB3M200VD1T广泛应用于多种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高耐压能力和良好的导通特性使其成为高压电源转换应用的理想选择。此外，该器件也可用于负载开关、继电器替代和LED照明驱动电路中。

STP3NK20Z、IRF730、FDP20N20、SiHP022NQ