类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V @ 250μA
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：DFN5x6
　　功率耗散（PD）：100W

WB3F200VD1TR1000具有多项出色的电气和热性能，能够满足高功率密度和高效能转换的要求。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的沟槽式设计优化了电流流动路径，减少了导通电阻并提高了热稳定性。
　　在热管理方面，DFN5x6封装提供了优异的散热性能，使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的温度。这种高热效率设计有助于减少外部散热器的需求，从而节省空间并降低整体系统成本。
　　WB3F200VD1TR1000还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）减少了开关损耗，使得该器件能够在高频环境下高效运行。
　　此外，该MOSFET具备高雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强系统的可靠性和稳定性。其广泛的工作温度范围也使其适用于工业、汽车和消费类电子应用。

WB3F200VD1TR1000广泛应用于各种高功率密度和高频电力电子系统中。常见的应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器和功率放大器等。
　　在服务器和通信设备的电源管理系统中，WB3F200VD1TR1000可以作为主功率开关，提供高效的能量转换，满足高电流需求。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等应用，提供可靠的功率控制解决方案。
　　此外，由于其优异的热管理和高频性能，WB3F200VD1TR1000也适用于紧凑型电源适配器、电源模块和工业自动化设备中的功率转换模块。其高可靠性和稳定性使其成为需要长期稳定运行的工业和汽车应用的理想选择。

SiZ200DT, SQJQ120EL, IPW60R022C6