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WA04PR15XBTL 发布时间 时间:2025/11/6 5:56:35 查看 阅读:16

WA04PR15XBTL是一款由Wolfspeed(原Cree)公司生产的高性能SiC(碳化硅)肖特基二极管,专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,相较于传统的硅基二极管,具备更低的正向压降、更高的热导率以及更强的抗辐射能力,使其在极端工作条件下依然能够保持稳定可靠的性能表现。WA04PR15XBTL属于650V电压等级的肖特基二极管系列,适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变器及功率因数校正(PFC)电路中。
  该器件封装形式为TO-252(D-Pak),具有良好的散热性能和机械强度,便于在紧凑型电源系统中实现高效布局。其无反向恢复电荷的特性显著降低了开关损耗,提升了整体系统的能效水平,并有助于减少电磁干扰(EMI)。此外,该二极管可在高达175°C的结温下持续工作,适合在高温工业环境或密闭空间内使用。
  WA04PR15XBTL的设计符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,广泛应用于新能源汽车充电系统、太阳能光伏逆变器、服务器电源模块以及工业电机驱动等领域。作为一款基于宽禁带半导体技术的产品,它代表了未来高效功率器件的发展方向,在节能减排和小型化趋势中发挥着关键作用。

参数

型号:WA04PR15XBTL
  类型:SiC肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):650V
  平均正向整流电流(IF(AV)):4A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):30A
  最大正向压降(VF):1.55V @ 4A, 25°C
  反向漏电流(IR):10μA @ 25°C, 650V
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-252 (D-Pak)
  热阻(RθJC):3.5°C/W
  反向恢复时间(trr):无(肖特基结构)

特性

WA04PR15XBTL的核心优势在于其采用碳化硅(SiC)半导体材料所带来的一系列优异电气与热性能。首先,由于SiC材料具有宽禁带特性(约3.2eV),使得该二极管在关断状态下表现出极低的反向漏电流,即使在高温环境下也能维持出色的阻断能力,从而提高了系统的可靠性与安全性。其次,作为肖特基势垒二极管,它不存在PN结的少数载流子存储效应,因此没有反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复电流(Irr),从根本上消除了开关过程中的动态损耗,特别适用于高频开关拓扑如LLC谐振变换器和有源钳位反激电路。
  该器件的最大正向压降仅为1.55V(在4A、25°C条件下测得),相比传统硅快恢复二极管可降低30%以上的导通损耗,显著提升电源转换效率。同时,其热导率高达490 W/(m·K),远高于硅材料,能够在高功率密度应用中有效传导热量,减缓温升速度,延长器件寿命。TO-252封装不仅提供了良好的机械稳定性,还通过底部导热片实现高效的热管理,适用于贴装于铝基板或陶瓷基PCB的散热设计。
  此外,WA04PR15XBTL具备优异的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力(IFSM达30A),可在瞬态过载或雷击等异常工况下保持功能完整性。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+175°C)使其适用于严苛环境,如车载电子、航空航天和重工业设备。整体而言,这款二极管结合了高耐压、低损耗、高频率响应和高可靠性等多重优点,是现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

应用

WA04PR15XBTL广泛应用于多种高效率电力电子系统中。在通信电源领域,常用于服务器和数据中心的AC-DC整流模块以及中间母线转换器中,帮助实现80 PLUS钛金级能效标准;在新能源汽车方面,被集成于车载充电机(OBC)和DC-DC变换器中,支持双向能量流动并提升整体续航表现;在光伏发电系统中,作为直流侧升压变换器中的续流二极管,有效减少能量损失并提高系统MPPT效率。
  此外,该器件也适用于工业自动化设备中的变频驱动单元,在高频PWM控制下提供快速响应和低噪声整流功能;在UPS不间断电源和储能系统中,用于防止电池回流并优化充放电管理;还可用于高端消费类电源适配器、LED照明驱动电源等对体积和效率要求较高的场景。得益于其高温稳定性和小型化封装,WA04PR15XBTL特别适合密闭空间或自然冷却条件下的应用环境,满足现代电子产品向轻薄化、高效化发展的需求。

替代型号

C4D04120A
  SDB04E65080
  STPSC4H065Y

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WA04PR15XBTL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.19446卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 衰减值1.5dB
  • 频率范围0 Hz ~ 3 GHz
  • 功率 (W)100mW
  • 阻抗50 Ohms
  • 封装/外壳0404(1010 公制),凹陷