时间：2025/7/10 21:22:25
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TF110P04N 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动、电源管理等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合高效能的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，能够满足紧凑型设计需求。由于其优秀的电气特性，它在多种电子系统中表现出卓越的性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：8nC
开关时间：典型值 15ns
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
TF110P04N 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能力，增强了器件的可靠性。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间。
5. 支持大电流操作，满足高性能需求。
6. 宽温度范围，适应各种恶劣的工作条件。
该 MOSFET 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池保护及充电管理。
4. 工业自动化设备中的功率调节。
5. 消费类电子产品中的负载切换。
6. LED 驱动器和其他功率管理模块。
IRFZ44N
STP45NF06
FDP5500
