容量：1GB
　　组织结构：128M x 8
　　电源电压：1.8V/1.5V
　　时钟频率：最高 667MHz
　　数据速率：1334Mbps
　　接口类型：LPDDR3
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：100
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

W989D6CBGX-6E LPDDR3 DRAM 芯片具备多项高性能和低功耗特性，非常适合现代便携式电子设备的需求。其主要特性包括高速数据传输、低电压运行和紧凑型封装。
　　首先，该芯片支持高达 1334 Mbps 的数据速率，基于双倍数据速率（DDR）技术，在每个时钟周期内传输两次数据，从而显著提高了内存带宽。这使得它非常适合需要快速数据处理的应用，如图形处理、多任务处理以及高清视频播放。
　　其次，W989D6CBGX-6E 工作电压为 1.8V 或 1.5V，相比标准 DDR3 芯片的 2.5V/1.8V，显著降低了功耗，有助于延长移动设备的电池续航时间。此外，该芯片支持多种低功耗模式，如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），可在设备闲置时进一步降低能耗。
　　该芯片采用 100 引脚 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，体积小、厚度薄，适合高密度 PCB 设计。同时，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，能够在广泛的环境条件下稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。
　　此外，该芯片具备良好的兼容性，支持 JEDEC 标准的 LPDDR3 接口协议，便于与主流 SoC（系统级芯片）平台集成。同时，其内部结构优化了信号完整性和电气性能，有助于提升系统稳定性并减少电磁干扰（EMI）。

W989D6CBGX-6E 主要用于对内存带宽和功耗有较高要求的便携式电子设备。常见应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、嵌入式系统、工业控制设备以及车载娱乐系统。在智能手机和平板电脑中，它可以为操作系统、应用程序和多媒体内容提供高效的数据缓存，提升系统响应速度和用户体验。在工业控制和车载系统中，其宽温工作范围和高可靠性使其能够在恶劣环境下稳定运行。此外，由于其低功耗特性，该芯片也适用于物联网（IoT）设备和边缘计算设备，以延长电池寿命并提高能效。

MT48LC16M16A2B4-6A, EM7864164AHB-6E