时间：2025/9/14 22:18:57
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PBSS4250X,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 LFPAK56 封装技术，适用于高效率、高密度的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@25°C：120A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：2.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.9mΩ
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：LFPAK56
PBSS4250X,115 以其卓越的性能在功率电子领域中占据重要地位。其核心特性之一是极低的导通电阻，在 Vgs=4.5V 时仅为 2.5mΩ，Vgs=10V 时更是降至 1.9mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的漏极电流额定值高达 120A，在高功率密度设计中表现出色，能够支持大电流负载而无需多个器件并联。
其 LFPAK56 封装是一种无引脚、双面散热的封装技术，具有出色的热性能，能够有效降低热阻，提升散热效率，适用于高功率和高可靠性要求的应用。该封装还具有出色的机械稳定性，适用于汽车和工业环境中的震动和温度变化较大的场合。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容性较好，可在 4.5V 至 10V 范围内正常工作，支持多种控制器和驱动器的使用。器件的雪崩能量等级高，具有良好的抗短路和过载能力，提高了系统的稳定性和寿命。
PBSS4250X,115 适用于多种高功率、高效率的电源管理系统。它常用于同步整流 DC-DC 转换器、服务器电源、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及负载开关电路。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V 轻混系统、电动助力转向（EPS）等，得益于其优异的热性能和可靠性，能够满足严苛的汽车环境要求。
在工业领域，该 MOSFET 可用于高性能电源模块、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及工业自动化控制系统中的功率开关。其高电流承载能力和低导通电阻使其在高频率开关应用中表现出色，有助于提高整体系统效率和减小系统尺寸。
SiSSPM6515, Infineon BSC010N04LS G, STMicroelectronics STP120N3LLH6
