时间：2025/8/21 2:38:34
阅读：24
W988D2FBJX7E TR是一款由Winbond公司制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为需要高性能存储解决方案的应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有高密度、低功耗和高速度的特点。W988D2FBJX7E TR采用BGA（球栅阵列）封装，适用于紧凑型电路板设计。这款DRAM芯片通常用于消费电子、通信设备、工业控制设备和其他需要高效能内存解决方案的领域。
容量：128MB
组织方式：16M x 8/4M x 32
接口类型：Parallel
电压：2.3V - 3.6V
速度等级：10ns
封装类型：BGA
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
W988D2FBJX7E TR具备多种特性，使其适用于广泛的应用场景。首先，它的高容量和高速度使其能够满足对存储性能要求较高的应用需求。其次，该芯片采用了低功耗设计，有助于减少设备的整体能耗，延长电池寿命，尤其适用于便携式电子产品。此外，W988D2FBJX7E TR支持异步操作，能够与多种控制器和处理器无缝配合，提高了系统设计的灵活性。
在可靠性方面，W988D2FBJX7E TR具备较强的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的工作环境中保持数据的完整性。其BGA封装不仅节省空间，还有助于提高焊接可靠性和散热性能，确保芯片在高负载运行时的稳定性。
另外，该芯片支持多种工作模式，包括自动刷新和自刷新模式，以适应不同的应用需求。自动刷新模式能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新，而自刷新模式则可以在低功耗状态下保持数据不丢失，非常适合移动设备和嵌入式系统的应用。
W988D2FBJX7E TR广泛应用于各种电子设备和系统中，例如智能手机、平板电脑、网络设备、工业控制系统、医疗设备和汽车电子系统等。它特别适合用于需要大量临时数据存储和高速访问的场景，如图形处理、视频播放、多任务处理等。此外，在通信设备中，W988D2FBJX7E TR可以作为缓存存储器，用于提升数据传输效率和系统响应速度。
W988D2FBJS-6G TR, W988D2FBJS-10G TR
