W988D2FBJX7E TR是一款由Winbond公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为需要高性能存储解决方案的应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗和高速度的特点。W988D2FBJX7E TR采用BGA(球栅阵列)封装,适用于紧凑型电路板设计。这款DRAM芯片通常用于消费电子、通信设备、工业控制设备和其他需要高效能内存解决方案的领域。
容量:128MB
组织方式:16M x 8/4M x 32
接口类型:Parallel
电压:2.3V - 3.6V
速度等级:10ns
封装类型:BGA
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
W988D2FBJX7E TR具备多种特性,使其适用于广泛的应用场景。首先,它的高容量和高速度使其能够满足对存储性能要求较高的应用需求。其次,该芯片采用了低功耗设计,有助于减少设备的整体能耗,延长电池寿命,尤其适用于便携式电子产品。此外,W988D2FBJX7E TR支持异步操作,能够与多种控制器和处理器无缝配合,提高了系统设计的灵活性。
在可靠性方面,W988D2FBJX7E TR具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的工作环境中保持数据的完整性。其BGA封装不仅节省空间,还有助于提高焊接可靠性和散热性能,确保芯片在高负载运行时的稳定性。
另外,该芯片支持多种工作模式,包括自动刷新和自刷新模式,以适应不同的应用需求。自动刷新模式能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新,而自刷新模式则可以在低功耗状态下保持数据不丢失,非常适合移动设备和嵌入式系统的应用。
W988D2FBJX7E TR广泛应用于各种电子设备和系统中,例如智能手机、平板电脑、网络设备、工业控制系统、医疗设备和汽车电子系统等。它特别适合用于需要大量临时数据存储和高速访问的场景,如图形处理、视频播放、多任务处理等。此外,在通信设备中,W988D2FBJX7E TR可以作为缓存存储器,用于提升数据传输效率和系统响应速度。
W988D2FBJS-6G TR, W988D2FBJS-10G TR