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W988D2FBJX7E TR 发布时间 时间:2025/8/21 2:38:34 查看 阅读:11

W988D2FBJX7E TR是一款由Winbond公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为需要高性能存储解决方案的应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有高密度、低功耗和高速度的特点。W988D2FBJX7E TR采用BGA(球栅阵列)封装,适用于紧凑型电路板设计。这款DRAM芯片通常用于消费电子、通信设备、工业控制设备和其他需要高效能内存解决方案的领域。

参数

容量:128MB
  组织方式:16M x 8/4M x 32
  接口类型:Parallel
  电压:2.3V - 3.6V
  速度等级:10ns
  封装类型:BGA
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

W988D2FBJX7E TR具备多种特性,使其适用于广泛的应用场景。首先,它的高容量和高速度使其能够满足对存储性能要求较高的应用需求。其次,该芯片采用了低功耗设计,有助于减少设备的整体能耗,延长电池寿命,尤其适用于便携式电子产品。此外,W988D2FBJX7E TR支持异步操作,能够与多种控制器和处理器无缝配合,提高了系统设计的灵活性。
  在可靠性方面,W988D2FBJX7E TR具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的工作环境中保持数据的完整性。其BGA封装不仅节省空间,还有助于提高焊接可靠性和散热性能,确保芯片在高负载运行时的稳定性。
  另外,该芯片支持多种工作模式,包括自动刷新和自刷新模式,以适应不同的应用需求。自动刷新模式能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新,而自刷新模式则可以在低功耗状态下保持数据不丢失,非常适合移动设备和嵌入式系统的应用。

应用

W988D2FBJX7E TR广泛应用于各种电子设备和系统中,例如智能手机、平板电脑、网络设备、工业控制系统、医疗设备和汽车电子系统等。它特别适合用于需要大量临时数据存储和高速访问的场景,如图形处理、视频播放、多任务处理等。此外,在通信设备中,W988D2FBJX7E TR可以作为缓存存储器,用于提升数据传输效率和系统响应速度。

替代型号

W988D2FBJS-6G TR, W988D2FBJS-10G TR

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W988D2FBJX7E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-VFBGA(8x13)