类型：DRAM
　　存储容量：256K x 16
　　组织结构：256K 地址空间，每个地址 16 位
　　数据速率：7.5 ns 访问时间
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：54-TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：16 位
　　刷新周期：64 ms
　　接口类型：并行
　　时钟频率：无

W9825G6EH-75I 是一种高性能 EDO DRAM 芯片，支持快速页面模式访问，从而提高数据读取效率。其 16 位数据总线设计允许每次访问传输更多数据，适合需要高带宽的系统。该芯片的 3.3V 供电设计降低了功耗，同时提高了系统的稳定性和可靠性。由于其 7.5 ns 的访问时间，该芯片适用于需要快速响应的实时系统。
　　这款 DRAM 芯片采用了 TSOP 封装技术，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适合在各种工业环境中使用。W9825G6EH-75I 还具有较长的刷新周期（64ms），减少了刷新操作对系统性能的影响。此外，它支持标准的并行接口，便于集成到现有的嵌入式系统中。
　　W9825G6EH-75I 的工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在极端温度条件下正常工作，广泛适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和其他恶劣环境下的应用。

W9825G6EH-75I 主要用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统和工业设备。常见应用包括网络设备、通信模块、工业自动化控制器、测试设备、图像处理系统以及老一代的计算机主板和显卡。由于其高性能和可靠性，这款 DRAM 芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业控制系统和远程通信设备。

W9825G6EH-65I, W9825G6EH-70I, W9825G6EH-75