时间：2025/8/21 7:57:34
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W982516BH75L是一款由Winbond公司制造的DRAM芯片，属于异步静态随机存取存储器（SRAM）类型。该芯片容量为256K x 16位，即总存储容量为4Mbit（256K地址，每个地址包含16位数据）。该SRAM芯片采用高速CMOS技术制造，提供快速的读写访问时间，适用于需要快速数据存储和检索的应用场景。W982516BH75L采用54引脚TSOP封装，适合嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等对存储性能有较高要求的领域。
型号：W982516BH75L
制造商：Winbond
类型：SRAM
容量：256K x 16位（4Mbit）
电压范围：3.3V 或 5V
访问时间：7.5ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
读取电流：典型值200mA
待机电流：最大10mA
数据保持电流：最大10μA
读写操作模式：异步
W982516BH75L具有多项突出的性能特点，使其适用于各种高性能存储应用。首先，该芯片的访问时间为7.5ns，属于高速SRAM类型，能够满足对数据存取速度要求较高的系统设计需求。其次，该器件支持异步操作，无需时钟信号控制，简化了接口设计并提高了灵活性。此外，W982516BH75L的工作电压可以选择3.3V或5V，具备良好的兼容性，可适配不同电源架构的系统设计。
在功耗方面，该SRAM芯片在读写操作时的典型电流为200mA，而在待机模式下电流可降至10mA以下，数据保持模式下电流更低至10μA级别，非常适合需要低功耗运行的应用场景。该芯片还具备高可靠性和稳定性，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），能够在严苛环境下稳定运行。
此外，W982516BH75L采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设备中集成，同时具备良好的散热性能。其内部结构采用全CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力，确保数据在高速传输和存储过程中的完整性。
W982516BH75L SRAM芯片广泛应用于需要高速、低延迟存储的系统中。常见的应用包括工业控制系统、自动化设备、网络交换设备、路由器、通信基站、测试测量仪器、嵌入式系统以及图形加速器等。由于其异步接口设计和高速访问时间，该芯片特别适合用于缓存存储器、帧缓冲器或高速数据缓冲区，以提升系统整体的响应速度与数据处理能力。
在嵌入式系统中，W982516BH75L常被用作微控制器或FPGA的外部高速存储器，用于临时存储程序代码或关键数据，以提高系统的运行效率。此外，该芯片也广泛应用于医疗设备、安防监控系统和智能仪表等高可靠性要求的领域，确保在复杂环境下的稳定运行。
CY7C1041B-10ZSXC, IS61LV25616-70BLLI, IDT71V416S07PHGI
