类型：DRAM
　　容量：256K x 16（4MB）
　　封装类型：TSOP
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：7.5ns
　　数据宽度：16位
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

W982516BH-75L 的核心特性之一是其 EDO（Extended Data Out）技术，该技术允许在地址变化时保持数据输出有效，从而提高存储器访问效率。该芯片的访问时间为7.5ns，意味着其最大工作频率可支持高达133MHz 的存储器总线速度。由于采用 3.3V 电源供电，该芯片在保证性能的同时降低了功耗，适用于对功耗有一定要求的工业设备。TSOP 封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，适合高密度 PCB 布局。此外，该芯片符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子制造工艺。
　　W982516BH-75L 还具有良好的兼容性，可与多种嵌入式处理器和控制器直接连接，简化系统设计。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行，适用于工业自动化、通信基站、网络设备等领域。由于 EDO DRAM 相比于传统的 FPM DRAM 具有更高的访问效率，W982516BH-75L 在需要较高数据吞吐量但又不需要同步DRAM（如 SDRAM 或 DDR）的系统中具有优势。

W982516BH-75L 主要应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统，如工业控制设备、自动化设备、通信模块、网络路由器、老式图形加速卡以及需要缓存或帧缓冲的视频设备。由于其低功耗特性和宽温工作范围，也广泛用于环境条件较为严苛的工业现场设备中。此外，该芯片也可用于某些老款笔记本电脑、便携式测量仪器以及需要扩展内存的终端设备中。

IS61LV25616-75BLLI、CY62148EVLL-70B、A6216D-7SIT、ISSI IS61LV25616