时间：2025/8/21 8:01:43
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W982516BH-75I 是由 Winbond 公司生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于高速CMOS工艺制造的EDO DRAM类别。该型号的存储容量为16兆位（1M x 16），采用EDO（Extended Data Out）技术，以提高数据访问效率和整体性能。该芯片通常应用于需要较高数据传输率的嵌入式系统、网络设备以及工业控制系统中。
容量：16Mb (1M x 16)
组织方式：1M地址 x 16位数据
电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
时钟频率：166MHz
访问时间：7.5ns
接口类型：并行
数据输出类型：EDO
W982516BH-75I 是一款高性能的16M位DRAM芯片，采用了CMOS工艺技术以确保低功耗和高可靠性。该芯片的工作电压为3.3V，支持在广泛的工业环境中稳定运行，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于严苛的工业应用场合。
这款DRAM芯片的存储结构为1M地址乘以16位的数据宽度，允许用户以较大的数据块进行读写操作，从而提升系统效率。它采用了EDO（Extended Data Out）技术，使得在下一个地址周期开始时，数据仍保留在输出端，减少了数据访问的等待时间，提高了连续数据读取的速度。此外，该芯片的访问时间为7.5纳秒，表明其响应速度较快，适合需要快速数据存取的应用场景。
W982516BH-75I 的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），有助于节省PCB空间，并改善高频工作下的电气性能。同时，其并行接口设计支持与多种主控设备的直接连接，简化了系统设计并提高了兼容性。总体而言，这是一款适用于需要高性能、低功耗和宽温工作环境的嵌入式系统的理想内存解决方案。
W982516BH-75I 被广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业设备中，例如网络路由器、交换机、工业控制设备、视频采集系统以及需要高速缓存的微处理器系统。由于其快速的访问时间和较低的功耗特性，这款DRAM芯片也适合用在对性能和稳定性要求较高的通信设备和数据存储模块中。
IS42S16100A-7T, CY7C1041CV33-7ZS
