容量：1Mbit (128K x 8)
　　电压：5V
　　封装类型：28-SOJ
　　存取时间：55ns / 65ns / 75ns（根据后缀不同）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据输出类型：三态输出
　　接口类型：并行接口
　　封装尺寸：约 18.10mm x 7.60mm
　　引脚数：28
　　内存类型：EDO DRAM

W9812G6KH6 的核心特性之一是其采用了 EDO（Extended Data Out）DRAM 技术，这种技术允许在地址线改变时仍然保持数据的输出状态，从而提高内存访问效率，减少等待周期。此外，这款芯片的高速存取时间（最低可达 55ns）使得它在一些对响应时间要求较高的应用中表现出色。
　　该芯片的工作电压为标准 5V，这种设计使其与许多老式嵌入式系统和工业设备的电源系统兼容，便于直接集成到现有设计中，而无需额外的稳压电路。W9812G6KH6 采用 28 引脚 SOJ 封装形式，这种封装不仅具有良好的散热性能，还具备较高的机械稳定性，适用于工业环境中的长时间运行。
　　其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级温度标准，能够确保在各种恶劣环境下稳定工作。此外，W9812G6KH6 支持三态输出控制，这使得它能够方便地连接到并行总线上，而不会与其他外围设备产生冲突，提高了系统的兼容性和稳定性。
　　这款 DRAM 芯片的并行接口结构支持高速数据交换，适合用于需要快速访问内存的应用场景，如图像缓冲、数据缓存和实时控制等。由于其成熟的设计和广泛的应用历史，W9812G6KH6 在工业控制、通信设备、测试仪器和老式计算机扩展模块中得到了广泛使用。

W9812G6KH6 适用于多种嵌入式系统和工业电子设备，特别是在需要中等容量高速存储器的场合。常见的应用包括工业控制面板、数据采集设备、测试与测量仪器、老式 PC 外设扩展卡、通信模块以及视频显示缓冲器等。该芯片的工业级工作温度范围使其非常适合在工厂自动化、现场监测系统以及嵌入式控制系统中使用。此外，由于其 5V 工作电压的兼容性，W9812G6KH6 也常被用于需要与传统 5V 逻辑电路配合使用的场合，例如某些旧款的 DSP 或 MCU 系统的扩展内存模块。在教育和实验开发领域，该芯片也常用于教学实验板或开发工具中，作为学习 DRAM 工作原理和接口设计的理想选择。

IS61C1024AL-55SLI, CY62148EVLL55ZSXI, A621024A-55PCN