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IRF9530PBF 发布时间 时间:2025/4/27 19:22:07 查看 阅读:3

IRF9530PBF是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种需要高效能开关的场合。它采用了TO-220封装形式,具备较高的漏源电压和较低的导通电阻,使其适合于高电压和中等电流的应用场景。
  IRF9530PBF的主要特点是其耐压能力较强,同时具有良好的开关特性和热性能,能够承受较大的瞬态电压和电流冲击,因此在工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:8A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):0.37Ω
  总功耗:106W
  结温范围:-55°C 至 150°C
  栅极电荷:17nC
  反向恢复时间:14ns

特性

IRF9530PBF属于增强型MOSFET,其工作原理是通过在栅极施加正电压来形成导电沟道,从而允许漏极和源极之间的电流流通。它的主要特性包括:
  1. 高耐压能力:最大漏源电压为100V,适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻:典型值为0.37Ω,在开关状态下可降低功耗。
  3. 快速开关速度:短反向恢复时间和小栅极电荷,有助于提高电路效率。
  4. 良好的热稳定性:能够在较宽>5. TO-220封装:便于散热设计,适合大功率应用。

应用

IRF9530PBF适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)
  5. 汽车电子系统中的负载开关
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET特别适合需要高效能和高可靠性的应用场合。

替代型号

IRF9530NPBF, IRF9530TRPBF

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IRF9530PBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 7.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds860pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF9530PBF