类型：DRAM
　　容量：1MB
　　组织结构：128K x 8
　　电压：5V
　　数据速率：6ns
　　访问时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

W9812G6H-6 是一款高性能的 EDO DRAM 存储芯片，具有快速的访问时间和稳定的性能表现。其 6ns 的数据速率和 5.4ns 的访问时间使其能够在较高频率下工作，适用于对存储访问速度有一定要求的场景。
　　该芯片采用 TSOP 封装技术，具备较好的热稳定性和电气性能，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。此外，其 54 引脚的设计使其具备良好的信号完整性，减少了引脚之间的干扰问题。
　　该 DRAM 芯片支持标准的工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在恶劣环境条件下运行，广泛应用于工业控制系统、嵌入式设备和老式计算机扩展卡等产品中。
　　由于其 EDO（Extended Data Out）特性，允许在下一个地址周期开始之前保持数据输出状态，从而提高了数据传输效率，降低了系统延迟。这使得 W9812G6H-6 成为某些特定应用领域中可靠且高效的内存解决方案。

W9812G6H-6 主要用于需要中等容量内存的工业控制系统、嵌入式设备和老旧计算机外设。例如，在工业自动化设备中，它可用于缓存实时数据或程序指令；在通信设备中，可作为临时数据存储单元；在一些特定的消费电子产品中，如老式打印机或扫描仪中，也可作为主存使用。此外，该芯片也适用于一些需要扩展内存容量的嵌入式系统设计，尤其是在对成本和性能有平衡需求的应用场景中。

W9812G6BH-6, W9812G6JH-6